Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 14 záznamů.  předchozí11 - 14  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Balistická elektronová emisní mikroskopie kvantových InAs teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře
Vaniš, Jan ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Walachová, Jarmila
Jsou prezentována balistická elektronová emisní měření InAs/GaAs kvantových teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře. Měřená struktura byla připravena MOCVD technikou. Při měřeních byla analyzována plošná oblast 1 μm.sup.2./sup. Na analyzovaných oblastech byly zviditelněny a změřeny různé velikosti a tvary kvantových teček. Obvyklá velikost kvantových teček byla přibližně 10 nm a méně. Pozorované tvary zřejmě souvisí s hustotou stavů v kvantových tečkách.
Měření elektro-optických vlastností kvantově-rozměrových struktur na bázi InAs/GaAs - fotoproud a elektroluminiscence
Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Oswald, Jiří ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Hospodková, Alice ; Šimeček, Tomislav
Měření absorpce a elektroluminiscence polovodičových laserů a struktur s tenkými napnutými InAs vrstvami v GaAs při různých polarizačních teplotách. Lasery vykazují vysokou účinnost a nízkou prahovou proudovou hustotu a mohou pracovat při teplotách vyšších než 100řC.
Lasery s napjatými tenkými InAs vrstvami v GaAs - elektroluminiscence a fotoabsorpce při zvýšených teplotách
Mačkal, Adam ; Hazdra, P. ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel
Elektrooptická charakterizace polovodičových laserů s velmi tenkými napjatými InAs vrstvami v GaAs. Lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízké prahové proudy a jsou schopné pracovat při zvýšených teplotách

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 14 záznamů.   předchozí11 - 14  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.