Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 3 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Laterální protažení InAs/GaAs kvantových teček určené pomocí magnetofotoluminiscence
Křápek, V. ; Kuldová, Karla ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Humlíček, J.
Zkoumali jsme izolovanou vrstvu InAs kvantových teček na GaAs substrátu připravenou technikou MOVPE pomocí magnetofotoluminiscence v poli do 24 T. Fitováním energiových posunů jsme určili poměr laterálních délek 1.5 – 1.7 a efektivní hmotnost 0.04 – 0.05.
Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE
Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Studovali jsme tvar QD ve strukturách s vertikálně korelovanými kvantovými tečkami ve dvou vrstvách. Zaměřili jsme se na vliv oddělovací vrstvy na laterální tvar (prodloužení) QD a na intensitu fotoluminiscence.
MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí
Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Vyskočil, Jan
Jedním ze způsobů umožňujících posuv fotoluminiscenčního spektra InAs/GaAs kvantových teček k delším vlnovým délkám je jejich překrytí vrstvou In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As redukující pnutí. S rostoucím x byl pozorován posuv PL maxima od 1.28 μm k 1.46 μm.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.