|
|
Elektrochemické leptání křemíku
Vrzal, Pavel ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Elektrochemické leptání nachází uplatnění při modifikaci polovodičových materiálů. Pomocí této metody lze připravit širokou škálu struktur, které lze využít v biotechnologiích, nanotechnologiích nebo elektronice. Mezi tyto struktury patří porézní křemík. Úkolem bakalářské práce byla příprava porézního křemíku pomocí elektrochemického leptání a studium jeho vlastností. Nejdříve byla provedena obecná studie, ve které byla věnována pozornost vlastnostem porézního Si a možnostem jeho výroby. Experimentální část se zabývá návrhem leptací cely pro elektrochemické leptání a přípravou porézního křemíku chemickou a elektrochemickou metodou. Vytvořené struktury byly následně analyzovány pomocí rastrovací elektronové mikroskopie. Pozornost byla také zaměřena na fotoluminiscenční vlastnosti porézního křemíku.
|
|
|
Elektrochemické leptání křemíku
Vrzal, Pavel ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Elektrochemické leptání nachází uplatnění při modifikaci polovodičových materiálů. Pomocí této metody lze připravit širokou škálu struktur, které lze využít v biotechnologiích, nanotechnologiích nebo elektronice. Mezi tyto struktury patří porézní křemík. Úkolem bakalářské práce byla příprava porézního křemíku pomocí elektrochemického leptání a studium jeho vlastností. Nejdříve byla provedena obecná studie, ve které byla věnována pozornost vlastnostem porézního Si a možnostem jeho výroby. Experimentální část se zabývá návrhem leptací cely pro elektrochemické leptání a přípravou porézního křemíku chemickou a elektrochemickou metodou. Vytvořené struktury byly následně analyzovány pomocí rastrovací elektronové mikroskopie. Pozornost byla také zaměřena na fotoluminiscenční vlastnosti porézního křemíku.
|
|
|
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
|
|
|
Charakterizace struktur připravených selektivním mokrým leptáním křemíku
Metelka, Ondřej ; Mikulík, Petr (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace procesu přípravy kovové leptací masky pomocí elektronové litografie a následného selektivního mokrého leptání křemíku s krystalografickou orientací (100). Dále byla provedena charakterizace leptaného povrchu a vytvořených struktur. Konkrétně byla pozornost věnována morfologii znázorněné pomocí skenovací elektronové mikroskopie a studiu změny optických vlastností zlatých plazmonických antén vlivem jejich podleptání.
|
|
|
Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Šamořil, Tomáš ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace iontově-atomárního zdroje, která povede ke zlepšení vlastností iontově-atomárního svazku. Zlepšení parametrů svazku zvyšuje účinnost iontově-atomárního zdroje při depozicích ultratenkých gallium nitridových vrstev (GaN), jež jsou důležité pro výzkum v oblasti mikroelektroniky a optoelektroniky. Po uskutečnění optimalizace byly při nižších teplotách substrátu (
|
|
|
Příprava mikro- a nanostruktur pomocí rozdílných leptacích metod
Těšík, Jan ; Urbánek, Michal (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Selektivní leptání je v současnosti velmi používanou metodou pro přípravu mikro- a nanostruktur. Tato bakalářská práce se zabývá principy těchto leptacích metod, jejich aplikacemi a také možnostmi suchého a mokrého leptání na Ústavu fyzikálního inženýrství. V experimentální části se věnuje přípravě leptacích masek k zajištění selektivity leptání a následně tvorbě předem definovaných mikro- a nanostruktur. Z výsledků byly stanoveny důležité parametry, např. rychlosti leptání Si, selektivitu masek atd. Dále byla porovnána vhodnost použitých způsobů leptání a krycích masek.
|
|
| |
|
|
Srovnání zobrazovacích možností transmisního a rastrovacího elektronového mikroskopu
Maňka, Tadeáš ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Zlámal, Jakub (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je srovnání zobrazovacích možností transmisního a rastrovacího elektronového mikroskopu. Teoretická část se zabývá popisem konstrukce a vysvětlením principu každého typu mikroskopu. Dále je sestaven přehled používaných detektorů signálu a popsán princip získávání obrazu. Prostor je věnován i vzorkům a jejich přípravě. Praktická část je věnována porovnání zobrazovacích možností obou mikroskopů. Ke srovnání byly použity standardní kalibrační vzorky. Jsou zmíněny výhody a nevýhody obou mikroskopů.
|
|
|
Měření fotoluminiscenčních vlastností ultratenkých vrstev
Metelka, Ondřej ; Mach, Jindřich (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce stručně vykládá principy a druhy luminiscence. V následující první rešeršní studii se pojednává také o zařízeních použitelných při fotoluminiscenčních experimentech, včetně jejich uspořádání. V druhé rešerši je studován vliv vlastností galium nitridových (GaN) (ultra) tenkých vrstev a jiných struktur připravených různými způsoby na tvar jejich fotoluminiscenčních spekter. V této práci je dále popsána optimalizace fotoluminiscenční aparatury umístěné na Ústavu fyzikálního inženýrství na VUT pro měření fotoluminiscenčních spekter v UV oblasti světelného záření. Úprava se týká také rozšíření měření i za nízkých teplot (návrh a konstrukce vlastního kryostatu). Závěrem je provedení testovacích měření k zjištění vlivu různých nastavení aparatury na výsledné měřené fotoluminiscenční spektrum.
|
|
|
IN-SITU HIGH TEMPERATURE LOW CYCLE FATIGUE STUDY
Petrenec, M. ; Polák, Jaroslav ; Šamořil, T. ; Dluhoš, J. ; Obrtlík, Karel
In-situ Low Cycle Fatigue test (LCF) at temperature 635 °C have been performed in Scanning Electron Microscope (SEM) equipped with Electron Backscatter Diffraction analysis (EBSD) on a small dog-bone-shaped specimen of cast Inconel 713LC superalloy. The aim of the work was to study early stage fatigue damage at high temperature by the observations of the characteristic surface relief evolution and crystallographic characterization changes by EBSD. The detail of slip bands shape was checked by FIB and AFM microscopes. The LCF test was conducted on GATAN stage with pre tilted position and constant stress amplitude of total cycle number of 20. The relief produced in the first cycle determines the other locations of the localized cyclic slip to the primary slip planes (111). The relief was modified in the next cycles but without forming additionally new slip traces in the primary system. Based on EBSD analysis before and after LCF, the orientation of two grains was changed which caused activation of second slip system. The damage mechanism evolution is closely connected with the cyclic strain localization to the persistent slip bands where the fatigue cracks were initiated.
|
host ::
RSS.