|
|
Měření fotoluminiscenčních vlastností ultratenkých vrstev
Metelka, Ondřej ; Mach, Jindřich (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce stručně vykládá principy a druhy luminiscence. V následující první rešeršní studii se pojednává také o zařízeních použitelných při fotoluminiscenčních experimentech, včetně jejich uspořádání. V druhé rešerši je studován vliv vlastností galium nitridových (GaN) (ultra) tenkých vrstev a jiných struktur připravených různými způsoby na tvar jejich fotoluminiscenčních spekter. V této práci je dále popsána optimalizace fotoluminiscenční aparatury umístěné na Ústavu fyzikálního inženýrství na VUT pro měření fotoluminiscenčních spekter v UV oblasti světelného záření. Úprava se týká také rozšíření měření i za nízkých teplot (návrh a konstrukce vlastního kryostatu). Závěrem je provedení testovacích měření k zjištění vlivu různých nastavení aparatury na výsledné měřené fotoluminiscenční spektrum.
|
|
|
Elektronová litografie na nevodivých substrátech
Hovádková, Zuzana ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Dvořák, Petr (vedoucí práce)
Elektronová litografie zažívá v posledních letech velký rozmach, zejména díky možnosti vytvořit velké struktury s přesným rozlišením. Tato práce se zabývá elektronovou litografií na nevodivých substrátech, a to konkrétně na skle. Litografie na skle má využití zejména v biologii, kde je potřeba transparentních substrátů pro světlo, které jsou zároveň netoxické pro růst buněk. V experimentální části jsou ukázány dva způsoby kompenzace akumulovaného náboje a porovnány možnosti jejich dalšího využití.
|
|
|
Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Šamořil, Tomáš ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace iontově-atomárního zdroje, která povede ke zlepšení vlastností iontově-atomárního svazku. Zlepšení parametrů svazku zvyšuje účinnost iontově-atomárního zdroje při depozicích ultratenkých gallium nitridových vrstev (GaN), jež jsou důležité pro výzkum v oblasti mikroelektroniky a optoelektroniky. Po uskutečnění optimalizace byly při nižších teplotách substrátu (
|
|
|
Vliv podleptání plazmonických antén na jejich optickou odezvu
Novák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
V této práci je sledována závislost optické odezvy na podleptání plazmonických antén. Když na optické antény dopadá světlo s rezonanční vlnovou délkou, tak v okolí antény dojde k zesílení elektromagnetického pole. Rezonanční vlnová délka je závislá na délce antény a efektivním indexu lomu, jenž je dán vlastnostmi v okolí antény. Podleptáváním antény se zmenší styčná plocha se substrátem (dielektrikem) a změní se efektivní index lomu a tím i optická odezva antény.
|
|
|
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
|
|
|
Srovnání zobrazovacích možností transmisního a rastrovacího elektronového mikroskopu
Maňka, Tadeáš ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Zlámal, Jakub (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je srovnání zobrazovacích možností transmisního a rastrovacího elektronového mikroskopu. Teoretická část se zabývá popisem konstrukce a vysvětlením principu každého typu mikroskopu. Dále je sestaven přehled používaných detektorů signálu a popsán princip získávání obrazu. Prostor je věnován i vzorkům a jejich přípravě. Praktická část je věnována porovnání zobrazovacích možností obou mikroskopů. Ke srovnání byly použity standardní kalibrační vzorky. Jsou zmíněny výhody a nevýhody obou mikroskopů.
|
|
|
Příprava mikro- a nanostruktur pomocí rozdílných leptacích metod
Těšík, Jan ; Urbánek, Michal (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Selektivní leptání je v současnosti velmi používanou metodou pro přípravu mikro- a nanostruktur. Tato bakalářská práce se zabývá principy těchto leptacích metod, jejich aplikacemi a také možnostmi suchého a mokrého leptání na Ústavu fyzikálního inženýrství. V experimentální části se věnuje přípravě leptacích masek k zajištění selektivity leptání a následně tvorbě předem definovaných mikro- a nanostruktur. Z výsledků byly stanoveny důležité parametry, např. rychlosti leptání Si, selektivitu masek atd. Dále byla porovnána vhodnost použitých způsobů leptání a krycích masek.
|
|
| |
|
|
2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů.
|
|
|
Charakterizace struktur připravených selektivním mokrým leptáním křemíku
Metelka, Ondřej ; Mikulík, Petr (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace procesu přípravy kovové leptací masky pomocí elektronové litografie a následného selektivního mokrého leptání křemíku s krystalografickou orientací (100). Dále byla provedena charakterizace leptaného povrchu a vytvořených struktur. Konkrétně byla pozornost věnována morfologii znázorněné pomocí skenovací elektronové mikroskopie a studiu změny optických vlastností zlatých plazmonických antén vlivem jejich podleptání.
|
host ::
RSS.