|
|
Ga modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
Hlavička, Ivo ; Lišková, Zuzana (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této bakalářské práce je výroba, charakterizace a úprava Schottkyho solárních článků s rozhraním grafen-Si. Nanesením grafenu vyrobeného metodou CVD na křemíkový substrát s elektrodami bylo vytvořeno základní Schottkyho rozhraní solárního článku. Toto rozhraní grafen-Si bylo poté modifikováno žíháním v UHV a byla stanovena závislost účinnosti na teplotě. Dále byly studovány vlivy atomu galia na Schottkyho přechod. Proměřením voltampérových charakteristik byla srovnána účinnost takto vyrobených a upravených článků, načež byla provedena analýza ochuzené zóny Schottkyho přechodu pomocí metody X-EBIC.
|
|
|
Příprava 2D heterostruktur
Ředina, Dalibor ; Hrabovský, Miloš (oponent) ; Bartoš, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o přípravě 2D heterostruktur na ÚFI VUT v Brně. V první pasáži se nachází teoretická část práce, která se zabývá vlastnostmi grafénu, sulfidu molybdeničitého a obecně 2D heterostruktur. Pro komplexní přehled o grafénu je uvedeno pár informací o uhlíku, jeho vlastnostech a alotropních modifikacích. V další části práce je provedena rešerše metod pro výrobu heterostruktur a výběr teoreticky nejlepší metody. Experimentální část práce se pak zabývá optimalizací této metody. Jednotlivé kroky metody jsou různými způsoby vylepšovány, pro co možná nejlepší úspěšnost výroby heterostruktur. Výsledek samotného přenosu je uveden v práci.
|
|
|
Studium rozhraní grafen/křemík užitím metody EBIC
Hammerová, Veronika ; Lišková, Zuzana (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zameriava na štúdium rozhrania grafén/kremík nachádzajúcom sa na solárnom článku s grafénovou vrstvou. Toto rozhranie bolo študované pomocou metódy EBIC a Ramanovej spektroskopie. Solárne články s grafénovou vrstvou boli vyrobené použitím elektrónovej litografie, chemického leptania a grafénu vyrobeného metódou CVD. Práca popisuje výrobu solárnych článkov s grafénovou vrstvou, metódu EBIC meranú pomocou SEM-u a analýzu zmien rozhrania grafén/kremík zapríčinených osvietením elektrónovým lúčom pomocou Ramanovej spektroskopie. V teoretickej časti je popísaný p-n prechod a Schottkyho prechod na solárnom článku, grafén a jeho výroba, ako aj základy metódy EBIC.
|
|
|
Grafenové struktury vhodné pro polem řízené tranzistory
Kurfürstová, Markéta ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou grafenových struktur vhodných pro tranzistory řízené elektrickým polem. V první části je charakterizován grafen z hlediska jeho vlastností a metod přípravy. V části druhé je shrnuta polovodičová technika se zaměřením na tranzistory s grafenovou vrstvou. Následuje popis metody elektronové litografie, která byla použita při výrobě struktur. Na závěr je popsán experimentální postup přípravy grafenových struktur.
|
|
|
Návrh atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách UHV
Horáček, Matěj ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část bakalářské práce je věnována grafenovým vrstvám, zejména pak jejich přípravě metodou molekulární svazkové epitaxe. Třetí část práce se stručně zabývá detekcí atomárních svazků uhlíku. Praktická část této bakalářské práce je věnována návrhu a konstrukci vysokoteplotního atomárního zdroje uhlíku. V závěru práce jsou pak diskutovány dosažené výsledky.
|
|
| |
|
|
Příprava grafenových vrstev různými metodami a charakterizace jejich vlastností
Zahradníček, Radim ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Lišková, Zuzana (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá výrobou grafenu různými metodami. Grafen byl připraven pomocí mechanické exfoliace a chemických metod. Oxid grafenu (GO) byl nejdřív připraven modifikovanou Hummersovou metodou a rozpuštěn v roztoku isopropylalkoholu. Následně byl redukován pomocí fotoredukce, UV záření a termické redukce. Vyrobené grafenové vzorky byly charakterizovány pomocí optické mikroskopie, elektronové mikroskopie, mikroskopie atomárních sil, Ramanovy spektroskopie a rentgenové fotoelektronové spektroskopie. Výsledky měření a zhodnocení kvality výroby grafenu jsou uvedeny z této práci.
|
|
| |
|
|
Examination of Graphene with Very Slow Electrons
Mikmeková, Eliška ; Frank, Luděk
Although graphene has been available and intensively studied for nearly a full decade, new methods are still required for its examination and diagnostics. Even checking the continuity of layers and the reliable counting of layers of graphene and other 2D crystals should be easier to perform. Scanning electron microscopy with slow and very slow electrons offers an innovative tool enabling one to see graphene samples at nanometer or even sub-nanometer lateral resolution in both transmitted and reflected electrons and to count the number of layers reliably in both imaging modes. Diagnostics can be performed in this way on freestanding graphene samples as well as on graphene grown on the surfaces of bulk substrates. Moreover, bombardment with very slow electrons acts as an ultimate cleaning procedure removing adsorbed gases from crystal surfaces which can be monitored in scanned transmission electron images taken at below 50 eV.
|
|
|
Microscopic characterization of graphene material and electronic quality across neighbouring, differently oriented copper grains
Čermák, Jan ; Yamada, T. ; Ganzerová, Kristína ; Rezek, Bohuslav
We study graphene grown across the boundary of three such grains having bright, medium, and dark color in reflection. Raman micro-spectroscopy proves presence of mostly a monoor bi-layer graphene on all the grains. Yet intensity of Raman 2D band is grain-dependent: highest at the darkest grain and lowest at the brightest one. Contrary, conductive atomic force microscopy detects the highest conductivity at the brightest grain and the lowest current at the darkest grain. This is attributed to dominant electrical current path through graphene and underlying oxide thickness of which also depends on the type of copper grain. We correlate and discuss the results with view to better understanding of graphene growth and electronic properties on large area copper substrates.
|
host ::
RSS.