|
|
Application of Graphene Membrane in Nanoelectronic Devices
Kormoš, Lukáš ; Drbohlavová, Jana (referee) ; Bartošík, Miroslav (advisor)
This diploma thesis is focused on the applications and fabrication of graphene membrane from graphene prepared by the chemical vapor deposition. Theoretical part deals with transport properties of the graphene and multiple scattering processes limiting the charge carrier mobility in this material. Included is short review of graphene membrane applications. Experimental part provides fabrication process for achieving suspended graphene device by utilizing electron beam lithography, focused ion beam, chemical etching and patterning of graphene. Graphene membrane is characterized by transport properties measurement and compared to non-suspended graphene.
|
|
|
The preparation and characterisation of electrical properties of graphene CVD monocrystals
Hulva, Jan ; Rezek, Bohuslav (referee) ; Mach, Jindřich (advisor)
Chemická depozice grafenu z plynné fáze (CVD) je metoda schopná produkovat grafenové monovrstvy velkých velkých rozměrů. Část experimentální práce v rámci této diplomové práce je zaměřena na depozici a analýzu grafenových monokrys- talů připravených metodou CVD na měděném substrátu. Pro analýu grafénových domén je použito technik optické mikroskopie, elektronové mikroskopie, mikroskopie atomárních sil a Ramanovy spektroskopie. Úkolem další části je studium defektů po- zorovaných na mědi po depozici grafenu pomocí energiově disperzní rentgenové spek- troskopie. Množství těchto defektů bylo odstraněno úpravou depozičního systému ačkoliv takto nebylo dosaženo eliminování všech typů defektů. Poslední část této práce se zabývá měření elektro-transportních vlastností grafenu. Výsledky této části zahrnují měření ve vakuu se zapojeným hradlovým napětím a měření při nízkých teplotách v magnetickém poli.
|
|
|
Characterization of VTR-7000 deposition furnace
Petrová, Lenka ; Ulrych, Jan (referee) ; Semiconductor, Vlastimil Hanáček, ON (advisor)
Tato práce je zaměřena na problém nastavení CVD pece pro produkci ve výrobním závodu. Problém je, že přesná zařízení jako depoziční pece musíbýt pro produkci nastaveny až na místě, kde budou provozovány. Toho je možno docílit pomocí statistických nástrojů jako například DOE (design of experiment). Vstupní hodnoty procesu ovlivňují výstupy. Úkolem DOE je definovat, jakým způsobem. Z předchozího DOE provedeného v závodě COM1 vyplývají některá nastavení proměnných. Jiné proměnné musí být nastaveny dle předchozích zkušeností. Úkolem práce je seznámit čtenáře se základy depozice z plynné fáze a konceptem DOE. Následně je navržen vlastní experiment. Tento je vyhodnocen a výstupem práce je pak ideální nastavení reaktoru. Čtenáři bude též nepřímo představen proces DMAIC, který byl použit při samotném experimentu a vyhodnocování v ON Semiconductor, Rožnov pod Radhoštěm, CZ4 WFAB.
|
|
|
Preparation of graphene samples for experiments under UHV conditions
Mareček, David ; Mach, Jindřich (referee) ; Čechal, Jan (advisor)
This bachelor thesis deals with electrical conductivity of a graphene sample and preparation of a graphene field-effect transistor. In the theoretical part of the thesis, we describe electronic properties of graphene, preparation of graphene by CVD and its transfer to SiO_2. Experimental part of this thesis is focused on the preparation of a graphene field-effect transistor with long distance between Source and Drain electrodes. Thesis deals with a design of a chip expander for contact of graphene in UHV conditions. The last part describes measurement of dependency of graphene layer conductivity on the gate voltage with emphasis on the position of Dirac point during adjustments of the sample in UHV conditions.
|
|
| |
|
|
Microscopic characterization of graphene material and electronic quality across neighbouring, differently oriented copper grains
Čermák, Jan ; Yamada, T. ; Ganzerová, Kristína ; Rezek, Bohuslav
We study graphene grown across the boundary of three such grains having bright, medium, and dark color in reflection. Raman micro-spectroscopy proves presence of mostly a monoor bi-layer graphene on all the grains. Yet intensity of Raman 2D band is grain-dependent: highest at the darkest grain and lowest at the brightest one. Contrary, conductive atomic force microscopy detects the highest conductivity at the brightest grain and the lowest current at the darkest grain. This is attributed to dominant electrical current path through graphene and underlying oxide thickness of which also depends on the type of copper grain. We correlate and discuss the results with view to better understanding of graphene growth and electronic properties on large area copper substrates.
|
|
|
Growth of diamond thin films: a review
Kromka, Alexander ; Potocký, Štěpán ; Rezek, Bohuslav
Diamond is shown as an extraordinary material which offers promising solution for variety of fundamental studies and industrial uses. Here, growth of synthetic diamond films at low pressures (1 atm) and low temperatures (<1000°C) from carbon consisting gas mixtures is discussed. Variety of chemical vapor deposition techniques are reviewed, their advantages and disadvantages are pointed out too.
|
|
| |
|
| |
|
|
Diamond chemical vapor deposition
Kromka, Alexander
Present paper reviews growth of diamond thin films by various chemical vapor deposition processes. Basic characteristics and common features of processes are pointed out with a respect to quality of grown films and standard process parameters. Novel and non-standard diamond syntheses techniques are briefly discussed.
|
guest ::
