|
Kritický stav v tenkém Nb filmu
Youssef, A.E. ; Švindrych, Z. ; Hadač, J. ; Janů, Zdeněk
Uvádíme teplotní závislost kmitočtového spektra nízkofrekvenční střídavé magnetické susceptibility supravodivého tenkého Nb filmu v příčném, časově proměnném magnetickém poli, měřenou s velkým rozlišením. Těmto měřením jsou přiřazena data spočtená pomocí úplného analytického modelu magnetizace tenkého supravodivého disku v kritickém stavu.
|
|
Pokročilé oxidační procesy v environmentálních aplikacích
OLŠAN, Pavel
Cílem této diplomové práce je studium synergického efektu pokročilých oxidačních procesů (AOP) na rozklad chemických organických látek rezistentních k biodegradaci. V rámci diplomové práce byl testován synergický efekt fotokatalyticky aktivního materiálu a nízko teplotní plazmy. Modelové látky spolu s fotokatalyticky aktivním materiálem byly vystaveny působení atmosférického plazmového výboje (Gliding Arc) za účelem zvýšení tvorby OH radikálů a zvýšení účinnosti oxidačních procesů. V první kapitole teoretické části jsou shrnuty znalosti pokročilých oxidačních procesů, jejich rozdělení, principy a využití. Další kapitoly jsou věnovány charakteristice a vlastnostem oxidu titaničitého a shrnutí metod vytváření tenkých vrstev. Poslední kapitola teoretické části se zabývá různými typy plazmových výbojů. V experimentální části je popsáno zařízení pro rozklad rezistentních organických látek s využitím AOP. Další kapitola experimentální části se věnuje rozkladu organického barviva AO7 a antibiotika Verapamil hydrochlorid. Poslední kapitola shrnuje výsledky experimentu.
|
|
Studium tenkých vrstev oxidu ceru metodami rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a spektroskopie (STS)
Dvořák, Filip ; Mysliveček, Josef (vedoucí práce) ; Sobotík, Pavel (oponent)
Náplní práce je studium modelového systému CeO2/Cu(111) pomocí metody STM. Práce se zaměřuje na identifikaci růstového módu systému CeO2/Cu(111), studium závislosti morfologie povrchu systému na teplotě substrátu při přípravě vzorku a na určení atomární struktury připravených vrstev. Z hlediska vývoje teploty substrátu Cu(111) v průběhu depozice CeO2 byly vzorky připravovány třemi různými postupy - konstantní teplota, proměnná teplota a žíhání vzorku po depozici. Z měření morfologie vzorků byl určen rovnovážný růstový mód CeO2/Cu(111) jako 3D růst. Pomocí různé teploty substrátu při přípravě vzorku byly připraveny definované vzorky s různou morfologií. Čím nižší byla teplota v průběhu přípravy vzorku, tím více byl připravený systém neuspořádaný a rostla hustota defektů na jeho povrchu (dislokace, schody). Nejlepší epitaxe systému bylo dosaženo přípravou při proměnné teplotě substrátu. U vzorků připravených při teplotě vyšší než 400 řC byla na několika procentech povrchu pozorována vrstva CeO2(100). Vysoce rozlišené studium struktury CeO2/Cu(111) bylo provedeno na vzorcích s nízkým pokrytím připravených při konstantní teplotě. V prvních třech monovrstvách CeO2 byla na topografických měřeních patrná moir struktura, která vznikla kvůli nesouladu mřížkových konstant CeO2 a Cu(111). Atomárního rozlišení se...
|
| |
| |
host ::
