Název: Studium tenkých vrstev oxidu ceru metodami rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a spektroskopie (STS)
Překlad názvu: Scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS) study of thin ceria films
Autoři: Dvořák, Filip ; Mysliveček, Josef (vedoucí práce) ; Sobotík, Pavel (oponent)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2010
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Náplní práce je studium modelového systému CeO2/Cu(111) pomocí metody STM. Práce se zaměřuje na identifikaci růstového módu systému CeO2/Cu(111), studium závislosti morfologie povrchu systému na teplotě substrátu při přípravě vzorku a na určení atomární struktury připravených vrstev. Z hlediska vývoje teploty substrátu Cu(111) v průběhu depozice CeO2 byly vzorky připravovány třemi různými postupy - konstantní teplota, proměnná teplota a žíhání vzorku po depozici. Z měření morfologie vzorků byl určen rovnovážný růstový mód CeO2/Cu(111) jako 3D růst. Pomocí různé teploty substrátu při přípravě vzorku byly připraveny definované vzorky s různou morfologií. Čím nižší byla teplota v průběhu přípravy vzorku, tím více byl připravený systém neuspořádaný a rostla hustota defektů na jeho povrchu (dislokace, schody). Nejlepší epitaxe systému bylo dosaženo přípravou při proměnné teplotě substrátu. U vzorků připravených při teplotě vyšší než 400 řC byla na několika procentech povrchu pozorována vrstva CeO2(100). Vysoce rozlišené studium struktury CeO2/Cu(111) bylo provedeno na vzorcích s nízkým pokrytím připravených při konstantní teplotě. V prvních třech monovrstvách CeO2 byla na topografických měřeních patrná moir struktura, která vznikla kvůli nesouladu mřížkových konstant CeO2 a Cu(111). Atomárního rozlišení se... The contents of this study is the investigation of model catalyst CeO2/Cu(111) by STM. The aim of the work is identifying the growth mode of CeO2/Cu(111), studying the surface morphology dependence on substrate temperature during the sample preparation and determination of the atomic structure of the prepared layers. In terms of evolution of substrate temperature during the deposition samples has been prepared by three different methods - a constant temperature, variable temperature, and annealing the sample after deposition. The growth mode of the layers CeO2 has been determined as 3D growth. Samples with different morphology have been prepared by varying temperature of substrate during the preparation. With decreasing sample preparation temperature the roughness and defect density on surface have been increasing. The best epitaxy has been achieved by temperature gradient preparation. Samples which have been prepared with temperature above 400řC have been partially covered by layer CeO2(100). Measurements with hight resolution have been performed on the samples with low coverage. The first three monolayers of CeO2 have shown a moir pattern which has been caused by mismatch in lattice parameters. Atomic resolution has been achieved only in the first and the second monolayer CeO2. The absence of defects in...

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/30621

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-286210


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce