|
|
Graphene Field Effect Transistor Properties Modulation Via Mechanical Strain Induced By Micro-Cantilever
Brodský, Jan
This work presents a new method, which enables the electrical characterization ofgraphene monolayer with induced mechanical strain. The device is a combination oftwo-dimensional field effect transistor (2DFET) and a MEMS cantilever, both of which can be usedto alter graphene properties. The first method applies external electric field to the graphenemonolayer. The second method is based on mechanical bending of the cantilever by external force,which induces mechanical strain in the characterized layer. By sweeping the gate voltage (VGS) inrange from – 50 V to + 50 V and measuring the current between drain and source (IDS) with fixeddrain-source voltage (VDS) at 1 V, Dirac point of graphene is found at ≈ 9.3 V of VGS. After bendingof the cantilever, the sweep is performed again. The induced strain shifts the position of the Diracpoint by ≈ 1.3 V to VGS = 8 V. Because the fabrication process is compatible with silicon technology,this method brings new possibilities in graphene strain engineering.
|
|
|
Detection of biochemical substance using graphene sensor
Supalová, Linda ; Šimšíková, Michaela (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
This bachelor's thesis studies the interaction of biochemical substances with graphene by utilizing sensors with a field-effect transistor arrangement. Adsorbed atoms or molecules can induce doping of the graphene sheet, which can be experimentally determined by observing the shift in the position of Dirac point. Dependence of the Dirac point location on the added substance is studied, as well as time response to the addition of the liquid sample. Sensitivity to different molecules is observed and the implication of the results for the adsorption of various molecules are discussed.
|
|
|
Elektrická charakterizace unipolárního tranzistoru s kanálem tvořeným z grafenu
Žeravík, František ; Lednický, Tomáš (oponent) ; Gablech, Imrich (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá základními vlastnostmi grafenu, způsoby jeho syntézy, dopování, přenosu, charakterizace a také popisem a výrobou unipolárního tranzistoru s kanálem z grafenu. Praktická část se zaměřuje na jeho elektrickou charakterizaci. Konkrétně je práce blíže zaměřena na měření odporu kanálu, jeho závislosti na hradlovém napětí, hledání Diracova bodu a určení závislosti vodivosti kanálu na délce žíhání. Ve druhé části je zkoumán posun Diracova bodu a změna elektrických vlastností grafenu při ohýbání MEMS struktury s unipolárním tranzistorem s kanálem z grafenu.
|
|
|
Měření transportních vlastností grafenu
Nečesal, Daniel ; Procházka, Pavel (oponent) ; Kormoš, Lukáš (vedoucí práce)
Pro použití grafenu v elektronice je nutné vytvořit velké plochy grafenu vysoké kva- lity, k čemuž se využívá chemická depozice z plynné fáze (CVD). Kvalitu grafenové folie určuje pohyblivost nosičů náboje, protože je nepřímo úměrná počtu defektů grafenu, čehož bylo využito v této bakalářské práci. Byly vyrobeny vzorky s CVD grafenem pro měření transportních vlastností metodami van der Pauw a Hall bar. Grafen byl na vzorky přenesen dvěma metodami, pomocí roztoku dusičnanu železitého nebo pomocí elektrolytické delaminace. Bylo zjištěno vysoké p-dotování měřeného grafenu. U vzorku s přeneseným grafenem pomocí elektrolytické delaminace byla pozorována vysoká mo- bilita nosičů náboje a Diracův bod byl nalezen díky sníženému p-dotování.
|
|
|
Vliv elektronového svazku na grafenové polem řízené tranzistory
Mareček, David ; Čech,, Vladimír (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje elektrické vodivosti grafenu, přípravě grafenového polem řízeného tranzistoru a jeho ozařování elektronovým svazkem. Teoretická část popisuje elektrické vlastnosti grafenu, jeho přípravu pomocí metody CVD a přenos na křemíkový substrát s vrstvou SiO_2. Experimentální část této práce se zabývá přípravou grafenového polem řízeného tranzistoru pro použití v UHV podmínkách. Dále popisuje skenování elektronového svazku přes vyrobený tranzistor a tvorbu proudových map tranzistoru. V poslední části se věnuje vlivu elektronového svazku na transportní vlastnosti grafenové vrstvy a dotování grafenové vrstvy, indukované elektronovým svazkem.
|
|
|
Příprava grafenových vzorků pro experimenty v UHV podmínkách
Mareček, David ; Mach, Jindřich (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o elektrické vodivosti grafenu a přípravě grafenového polem řízeného tranzistoru. Teoretická část popisuje elektrické vlastnosti grafenu, jeho přípravu pomocí metody CVD a přenos na SiO_2. Experimentální část této práce se zabývá přípravou grafenového polem řízeného tranzistoru s velkou vzdáleností elektrod. Kapitola se věnuje návrhu držáku vzorku a přivedením kontaktů v UHV podmínkách. Poslední část popisuje naměření závislosti vodivosti grafenové vrstvy na hradlovém napětí se zřetelem na polohu Diracova bodu při úpravě vzorku v UHV podmínkách.
|
host ::
RSS.