|
|
Elektrická charakterizace unipolárního tranzistoru s kanálem tvořeným z grafenu
Žeravík, František ; Lednický, Tomáš (oponent) ; Gablech, Imrich (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá základními vlastnostmi grafenu, způsoby jeho syntézy, dopování, přenosu, charakterizace a také popisem a výrobou unipolárního tranzistoru s kanálem z grafenu. Praktická část se zaměřuje na jeho elektrickou charakterizaci. Konkrétně je práce blíže zaměřena na měření odporu kanálu, jeho závislosti na hradlovém napětí, hledání Diracova bodu a určení závislosti vodivosti kanálu na délce žíhání. Ve druhé části je zkoumán posun Diracova bodu a změna elektrických vlastností grafenu při ohýbání MEMS struktury s unipolárním tranzistorem s kanálem z grafenu.
|
|
|
Korekce křivosti výstupního napětí BandGap reference
Žeravík, František ; Háze, Jiří (oponent) ; Prokop, Roman (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá návrhem BandGap referencí podle P. Brokawa, v jednoduchém CMOS procesu a příslušných kompenzačních obvodů pro korekci křivosti výstupního napětí. V teoretické části je kladen důraz především na popis teplotní závislosti napětí UBE bipolárního tranzistoru a pochopení principu elementární BandGap reference. V návaznosti na tyto poznatky je popsána funkce a návrh obou BandGap referencí pro výstupní napětí 1,5 V. V druhé části se práce zaměřuje na popis různých metod pro korekci křivosti výstupního napětí. Na základě těchto metod jsou následně navržené BandGap reference 1. řádu doplněny o kompenzační obvody. V závěru jsou shrnuty a porovnány výsledné parametry navržených BandGap referencí bez korekce a s kompenzačním obvodem.
|
|
|
Elektrická charakterizace unipolárního tranzistoru s kanálem tvořeným z grafenu
Žeravík, František ; Lednický, Tomáš (oponent) ; Gablech, Imrich (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá základními vlastnostmi grafenu, způsoby jeho syntézy, dopování, přenosu, charakterizace a také popisem a výrobou unipolárního tranzistoru s kanálem z grafenu. Praktická část se zaměřuje na jeho elektrickou charakterizaci. Konkrétně je práce blíže zaměřena na měření odporu kanálu, jeho závislosti na hradlovém napětí, hledání Diracova bodu a určení závislosti vodivosti kanálu na délce žíhání. Ve druhé části je zkoumán posun Diracova bodu a změna elektrických vlastností grafenu při ohýbání MEMS struktury s unipolárním tranzistorem s kanálem z grafenu.
|
host ::
RSS.