|
| |
|
|
Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Tihlařík, Jan ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Práce se zabývá problematikou tvorby iontových svazků. Je zde popsán vliv iontové optiky na formování svazku a růst ultratenkých vrstev GaN, jakož i optimalizace zdroje k depozici a měření vlastností iontového svazku. V rámci práce byly provedeny depozice GaN ultratenkých vrstev na substrát Si(111)dH za pokojové teploty pro různá nastavení elektrických potenciálů na elektrodách iontově-atomárního zdroje.
|
|
|
Optimalizace zařízení pro přípravu GaN nanostruktur
Šimek, Daniel ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá automatizací zdrojů pro depozici GaN nanokrystalů užívaných na Ústavu fyzikálního inženýrství. V rámci práce byl navržen a zkonstruován mechanizmus umožňující automatické ovládání clony galliové efuzní cely a řídící elektronika obsahující komponenty umožňující automatické spínání iontově atomárního zdroje dusíkových iontů. Dále byly metodou molekulární svazkové epitaxe s asistencí iontového svazku IBA-MBE připraveny vzorky GaN nanokrystalů na čtyřech různých substrátech, které byly studovány z hlediska studené emise elektronů. V závěru práce jsou diskutovány výsledky měření.
|
|
|
Sestavení a testování zařízení pro výrobu ozonované vody a její aplikace na čištění křemíkových desek
Ředina, Dalibor ; Mikulík, Petr (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Deionizovaná ozonovaná voda neboli tzv. DIO3 se zdá být vhodnou alternativou pro použití v polovodičovém průmyslu. Užití DIO3 při odstraňování fotorezistu z křemíkových desek je rychlejší, levnější a šetrnější k životnímu prostředí oproti klasické technologii založené na použití směsi kyseliny sírové a peroxidu vodíku neboli SPM. Diplomová práce se zabývá prvně rešerší na téma ozon a ozonované vody a jejich možné aplikace. V dalších částech jsou popsány dva prototypy generátorů DIO3, jež byly sestaveny ve společnosti CSVG a.s. Testování parametrů generátorů na koncentraci rozpuštěného ozonu je taktéž součástí této práce. Dále jsou v práci uvedeny i testy, které byly provedeny ve společnosti ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm. V testech je porovnávána účinnost čištění pomocí klasické technologie využívající SPM a pomocí DIO3.
|
|
|
Příprava GeSn nanostruktur
Jedlička, Jindřich ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá metodami přípravy GeSn nanodrátů. V teoretické části je popsána pásová struktura pevných látek a jsou uvedeny důvody, proč je materiál GeSn zajímavý. Je představen mechanismus růstu nanodrátů a metody přípravy GeSn nanodrátů. V experimentální části byla sestavena efúzní cela pro depozici cínu a bylo provedeno její otestování a kalibrace.
|
|
|
Optimalizace iontového zdroje se sedlovým polem
Zálešák, Marek ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Cílem mé bakalářské práce bylo provést rešeršní studii na téma iontových zdrojů a jejich aplikací. Dalším cílem bylo vytvořit modelové simulace iontového zdroje se sedlovým polem v programu EOD a následně se pokusit zdroj optimalizovat. Optimalizace spočívala ve dvou hlavních bodech. Zprovoznit iontový zdroj k prvním měření a navrhnout vychylovací soustavu iontového svazku.
|
|
|
Selektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistu
Novák, Tomáš ; Kostelník, Petr (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev GaN aselektivním růstem Ga a GaN s využitím masek z pyrolyzovaného rezistu. Na křemíkových substrátech byly elektronovou litografií a pyrolýzou rezistu připraveny uhlíkové masky. Na substráty s maskami bylo poté metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) nanášeno Ga a GaN. Při depozicích Ga bylo dosaženo selektivní tvorby Ga ostrůvků, což bylo využito k růstu GaN krystalků metodou pulsní depozice. Experimenty také ukázaly, že přímou depozicí GaN metodou MBE lze na substráty s uhlíkovými maskami selektivně nanášet vrstvy GaN, kdy vrstva roste pouze v oblastech mimo masku. Výsledky vysvětluje zvýšená povrchová difúze gallia na povrchu uhlíkových masek.
|
|
|
Optimalizace iontového zdroje typu Colutron
Horký, Michal ; Mach, Jindřich (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá návrhem a konstrukcí iontového děla typu Colutron, který vytváří svazek iontů dusíku o energii od desítek až po tisíce eV. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby iontů a princip fungování iontového zdroje. Druhá část je věnována úpravě komerčního iontového zdroje americké společnosti Colutron a jeho kompletaci. Parametry iontového svazku pro různé tvary extrakčních elektrod a hodnot provozních parametrů byly experimentálně ověřeny v testovací aparatuře.
|
|
|
Studium oxidace oxidu uhelnatého na platině Augerovou spektroskopií
Hrůza, Dominik ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
V předložené bakalářské práci se zabývám studiem oxidace oxidu uhelnatého na platině pomocí Augerovy spektroskopie. V úvodu provedu deskripci fungování použitých metod. Dále teoreticky popíši zkoumanou reakci a uvedu měření pro lepší pochopení děje dané reakce. Poté naváži experimentální částí, kde se budu nejdříve zabývat růstem grafenových struktur. Na to navážu provedením in-situ pozorování dané reakce s přítomností grafenu a bez něho. Tato měření porovnám a následně provedu analýzu složení povrchu během reakce. Na závěr vytvořím metodiku, pomocí které lze rozlišit jednotlivé molekuly na povrchu katalyzátoru.
|
|
|
Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS
Mičulka, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Práce se zabývá tomografickou analýzou struktury prokovů pomocí metody FIB-SIMS pro elektrotechnický průmysl. Pomocí fokusovaného iontového svazku dochází v řezech k odprašování materiálu ze vzorku, což umožňuje odhalit vnitřní struktury k povrchovému zkoumání pomocí TOF-SIMS. Vzniká takto sekvence 2D snímků z jednotlivých řezů vzorkem, která je použita k tomografické rekonstrukci struktury prokovu. Je pojednáváno o optimalizaci metody FIB-SIMS aplikováním kyslíkového iontového svazku pro zvýšení iontového výtěžku a redukci artefaktů. Práce taky pojednává o pozorované nestabilitě emisního proudu bismutových iontů ze zdroje LMIS.
|
host ::
RSS.