Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 7 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Vyhodnocení proudění plynu ve scintilačním detektoru při různých profilech a rozměrech otvorů v clonkách tvaru síťky
Truhlář, Michal ; Špinka, Jiří (oponent) ; Maxa, Jiří (vedoucí práce)
Předkládaná práce se zabývá problematikou proudění plynu ve scintilačním detektoru elektronového mikroskopu. Práce nastiňuje funkci elektronového mikroskopu, složení, rozdělení a vývoj mikroskopů od nejstarších až po moderní. Součástí práce je seznámení se s 3D modelovacím prostředím SolidWorks, v kterém je elektronový mikroskop namodelován a programem Cosmos FloWorks, ve kterém jsou prováděny simulace proudění plynu. V práci je soustředěná pozornost na proudění plynu při různých tvarech síťky a různých tlacích v komoře vzorku. Výsledky analýz namodelovaných variant clonek jsou porovnány vzhledem k požadavku, aby na dráze sekundárních elektronů a v komoře vzorku byl co nejnižší tlak.
Modeling HF diode in Comsol Multiphysics
Truhlář, Michal ; Pokorný, Michal (oponent) ; Raida, Zbyněk (vedoucí práce)
This work brings understanding effects in semiconductor diode by rise P-N junction. Attention devote to suggested high frequency semiconductor diode in program Comsol Multiphysics 3.3.Atention is concentrated to optimization model of diode so as volt-ampere characteristic resembles to real characteristics of diodes. Is tried to find a solution to entourage P-N devolution, where this program sensitive on changes geometry’s barriers of these is different types P-N. In work is summary of treatment and advancing by divining and by optimization of high frequency diode. First part describes semiconductor diode like component used in the electrotechnics, which explains rise, descriptions, using and types of used diodes. Second part includes progress of scaling concrete semiconductor high frequency silicon diode. In this work is braining to optimization model of diode to real and research parameters, which influence her descriptions. In last part of my bachelor’s work was created a simple program in Matlab for global optimization. This program by connected with model of diode and check up possibilities of optimizations their parameters
Modeling HF diode in Comsol Multiphysics
Truhlář, Michal ; Pokorný, Michal (oponent) ; Raida, Zbyněk (vedoucí práce)
This work brings understanding effects in semiconductor diode by rise P-N junction. Attention devote to suggested high frequency semiconductor diode in program Comsol Multiphysics 3.3.Atention is concentrated to optimization model of diode so as volt-ampere characteristic resembles to real characteristics of diodes. Is tried to find a solution to entourage P-N devolution, where this program sensitive on changes geometry’s barriers of these is different types P-N. In work is summary of treatment and advancing by divining and by optimization of high frequency diode. First part describes semiconductor diode like component used in the electrotechnics, which explains rise, descriptions, using and types of used diodes. Second part includes progress of scaling concrete semiconductor high frequency silicon diode. In this work is braining to optimization model of diode to real and research parameters, which influence her descriptions. In last part of my bachelor’s work was created a simple program in Matlab for global optimization. This program by connected with model of diode and check up possibilities of optimizations their parameters
Vyhodnocení proudění plynu ve scintilačním detektoru při různých profilech a rozměrech otvorů v clonkách tvaru síťky
Truhlář, Michal ; Špinka, Jiří (oponent) ; Maxa, Jiří (vedoucí práce)
Předkládaná práce se zabývá problematikou proudění plynu ve scintilačním detektoru elektronového mikroskopu. Práce nastiňuje funkci elektronového mikroskopu, složení, rozdělení a vývoj mikroskopů od nejstarších až po moderní. Součástí práce je seznámení se s 3D modelovacím prostředím SolidWorks, v kterém je elektronový mikroskop namodelován a programem Cosmos FloWorks, ve kterém jsou prováděny simulace proudění plynu. V práci je soustředěná pozornost na proudění plynu při různých tvarech síťky a různých tlacích v komoře vzorku. Výsledky analýz namodelovaných variant clonek jsou porovnány vzhledem k požadavku, aby na dráze sekundárních elektronů a v komoře vzorku byl co nejnižší tlak.
Mechanical properties of metals measured on local scale
Truhlář, Michal ; Buršíková, V. ; Sobota, Jaroslav ; Kruml, Tomáš
The paper describes a new mwthod for testing metal thin layers, so-called microcompression test.
Determination of mechanical properties from microcompression test
Truhlář, Michal ; Kruml, Tomáš ; Kuběna, Ivo ; Petráčková, Klára ; Náhlík, Luboš
This paper describes a microcompression test of Al - 1.5 wt. % Cu thin film deposited on Si substrate. Microcompression combines the sample preparation with the use of ion focused beam (FIB) with a compression test carried out using nanoindenter. Cylindrical specimens (pillars) were prepared using FIB. The diameter of pillars was about 1.3 μm and their height was about 2 μm (equal to the film thickness). Stress-strain curves of the thin film were obtained. The results depend on crystallographic orientation of pillar. The paper is focused to an attempt to determine as precisely as possible Young modulus of the film using experimental data and finite element modelling.
Estimation of mechanical properties of thin Al surface layer
Petráčková, Klára ; Kuběna, Ivo ; Truhlář, Michal ; Náhlík, Luboš ; Kruml, Tomáš
The paper describes a new method for testing of thin layers, so-called microcompression test. As an example determination of Al thin film properties deposited on Si substrate is introduced in the paper. Microcompression combines the sample preparation with the use of focused ion beam (FIB) with a compression test carried out using nanoindenter. Cylindrical specimens (pillars) were prepared in Al film using FIB. The typical diameter of pillars was about 1.3 μm and their height was about 2 μm. The results depend on crystallographic orientation of pillar. Stress-strain curves of the thin film were obtained. Experimentally measured data on pillars needs correction to obtain undistorted material properties of Al thin film. A necessary correction using finite element modeling is suggested in the paper. The paper contributes to a better characterization of very thin surface layers and determination of their mechanical properties.

Viz též: podobná jména autorů
4 TRUHLÁŘ, Martin
1 Truhlář, M.
4 Truhlář, Marek
4 Truhlář, Martin
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.