|
|
Využití měřicí metody SPM v technologii výroby krystalických solárních článků
Mojrová, Barbora ; Boušek, Jaroslav (oponent) ; Hégr, Ondřej (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá využitím technik mikroskopie atomárních sil (AFM) a mikroskopie Kelvinovou sondou (KPFM) ve výrobě solárních článků. Obě techniky zjišťují požadované vlastnosti povrchu pomocí silových interakcí mezi ním a hrotem, jež postupně skenuje celý povrch vzorku. Mikroskopie atomárních sil umožňuje trojrozměrné zobrazení struktury povrchu. Mikroskopie Kelvinovou sondou se využívá pro měření kontaktního potenciálu povrchu a vrstev těsně pod ním. V práci jsou popsána experimentální měření topografie pomocí AFM u monokrystalických i multikrystalických substrátů po různých procesech leptání. Pomocí KPFM byl měřen kontaktní potenciál na struktuře selektivního emitoru a na pasivačních a antireflexních vrstvách PSG, SiOX, SiNX a Al2O3. Všechny experimenty popsané v této práci probíhaly na pracovišti společnosti Solartec s.r.o. a plně korespondují se současnou technologií výroby krystalických solárních článků.
|
|
|
Světelný zdroj s luminiscenční diodou
Novák, Matyáš ; Mojrová, Barbora (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Práce začíná základním popisem funkce luminiscenční diody. Dále popisuje základní způsoby tvorby chladících pouzder výkonových LED a možnosti odvodu tepla. V teoretické části práce jsou také uvedeny možnosti regulace tepelných ztrát a možnosti napájení výkonových LED. Praktická část práce obsahuje popis návrhu a konstrukce světelného zdroje s LED, využívajícího poznatků o chlazení a napájení z teoretické části. Světelný zdroj je pro co nejvšestrannější využití možno napájet z různých napájecích napětí.
|
|
|
Měření vázaného náboje pomocí povrchového napětí
Mojrová, Barbora ; Boušek, Jaroslav (oponent) ; Hégr, Ondřej (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá vývojem alternativní metody měření vázaného náboje v tenkých dielektrických vrstvách pomocí povrchového napětí. Přítomnost náboje v pasivační vrstvě se projevuje tzv. Back Surface Field (BSF) efektem, který přispívá ke snižování povrchové rekombinační rychlosti na zadní straně solárního článku. V práci jsou popsána experimentální měření dielektrických vrstev Al2O3, AlN, SiNx, Y2O3 a PSG deponovaných na krystalickém křemíku. Povrchové napětí (tj. volná povrchová energie) je vyhodnocována z velikosti úhlu smáčení (kontaktního úhlu) pomocí See Systemu.
|
|
|
Rychlé teplotní procesy
Korvas, Jan ; Boušek, Jaroslav (oponent) ; Mojrová, Barbora (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá technologiemi využívajícími rychlé tepelné procesy (RTP) na zlepšení technologických postupů. Hlavními důvody zavedení RTP technologií byla finanční a časová náročnost běžných postupů. Použití RTP v elektrotechnickém průmyslu je velmi široké, od běžných operací jako je kontaktování až po náročnější například oxidace v inertních atmosférách. V této práci je popsaný vývoj těchto postupů se zaměřením výrobu solárních článků. Experimentální část je zaměřena na návrh zařízení pro lepení solárních článků při využití krátkovlnných a středovlnných infrazářičů. Práce probíhá ve spolupráci se společností Solartec, s. r. o.
|
|
|
High Efficiency n-type Monocrystalline Silicon Solar Cells
Mojrová, Barbora ; Kolařík, Vladimír (oponent) ; Poruba,, Aleš (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
This dissertation is deals with searching and verifying of new processes contributing towards increase in efficiency of bifacial solar cells based on monocrystalline silicon n-type material. This work brings new knowledge about improvements in processes and methods used during its production at the ISC Konstanz. Within this work high efficiency n-type PERT (Passivated Emitter Rear Totally diffused) solar cells were made using standard mass-production facilities as in industrial production. This allows to show possibility of production high-quality n-type solar cells using almost the same equipment as for p-type solar cells. The efficiency increase was based on enhancing and balancing of individual production steps which were the same as in standard mass-production. Experiments described in this work vouch for the improvements in boron diffusion process, adjusting the passivation layer composition and its properties to new emitter design, and changes in metallization in term of using pure silver paste for emitter metallization, printing layout, and firing sequences. The structure and composition of ARC and passivation layer was investigated to reduce the process of Potential Induced Degradation (PID). The highest efficiency of the produced photovoltaics cells based on n-type material and made at standard process-line was 20. 9 %.
|
|
|
Světelný zdroj s nastavitelnou intenzitou osvětlení
Koždoň, Jakub ; Mojrová, Barbora (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Práce se zabývá popisem vlivu světla na člověka, popisem světelných zdrojů, návrhem a realizací světelného zdroje s proměnnou teplotou chromatičnosti a světelným tokem. V úvodu je zmíněn proces vidění a vliv světla na člověka. Navazuje popis důležitých parametrů světelných zdrojů a nejpoužívanějších zdrojů samotných. Jsou rozebrány jejich vlastnosti a konstrukce, přínosy a nevýhody. Důležitou součástí je obsáhlejší popis luminiscenčních diod LED společně s jejich provozními parametry. Poslední dvě části práce se zabývají návrhem a měřením parametrů vytvořeného světelného zdroje s proměnnou teplotou chromatičnosti a světelným tokem a vyhodnocením změřených hodnot.
|
|
|
Potential Induced Degradation Effect On N-Type Solar Cells With Boron Emitter
Mojrová, Barbora
This study is focusing on Potential Induced Degradation (PID) effect on n-type solar cells with boron emitter. We designed and fabricated single cell modules using n-PERT cells with textured and flat front side, and with various passivation structures on the front side to prevent PID at the cell level. The modules were characterized before and after PID testing by electroluminescence (EL), IV measurements, reflection and Internal Quantum Efficiency (IQE). Measurements were done on both sides of module to obtain whether the degradation was going on the front side, rear side or both. Comparison of IQE of front vs rear side shows, that intensity of degradation is fully influenced by properties of the front side of antireflection and passivation (ARC) layer.
|
|
|
High Efficiency n-type Monocrystalline Silicon Solar Cells
Mojrová, Barbora ; Kolařík, Vladimír (oponent) ; Poruba,, Aleš (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
This dissertation is deals with searching and verifying of new processes contributing towards increase in efficiency of bifacial solar cells based on monocrystalline silicon n-type material. This work brings new knowledge about improvements in processes and methods used during its production at the ISC Konstanz. Within this work high efficiency n-type PERT (Passivated Emitter Rear Totally diffused) solar cells were made using standard mass-production facilities as in industrial production. This allows to show possibility of production high-quality n-type solar cells using almost the same equipment as for p-type solar cells. The efficiency increase was based on enhancing and balancing of individual production steps which were the same as in standard mass-production. Experiments described in this work vouch for the improvements in boron diffusion process, adjusting the passivation layer composition and its properties to new emitter design, and changes in metallization in term of using pure silver paste for emitter metallization, printing layout, and firing sequences. The structure and composition of ARC and passivation layer was investigated to reduce the process of Potential Induced Degradation (PID). The highest efficiency of the produced photovoltaics cells based on n-type material and made at standard process-line was 20. 9 %.
|
|
|
Impact of the SiNx Thickness on Passivation Quality and Contact Resistivity of Silicon Solar Cell
Mojrová, Barbora
In this work the influence of thickness of Silicon Nitride (SiNX) layer deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) on passivation quality and contact resistivity (ρC) of n-type Passivated Emitter Rear Totally-diffused (n-PERT) cell was investigated. The solar cell structure comprises front boron emitter and a phosphorous back surface field (BSF) with SiNX layers on both sides for surface passivation. Contacts are made by screen printed and fired through metallization using commercial silver (Ag) paste.
|
|
|
Světelný zdroj s luminiscenční diodou
Novák, Matyáš ; Mojrová, Barbora (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Práce začíná základním popisem funkce luminiscenční diody. Dále popisuje základní způsoby tvorby chladících pouzder výkonových LED a možnosti odvodu tepla. V teoretické části práce jsou také uvedeny možnosti regulace tepelných ztrát a možnosti napájení výkonových LED. Praktická část práce obsahuje popis návrhu a konstrukce světelného zdroje s LED, využívajícího poznatků o chlazení a napájení z teoretické části. Světelný zdroj je pro co nejvšestrannější využití možno napájet z různých napájecích napětí.
|
host ::
RSS.