|
|
Optické hradlování epitaxního grafénu
Fridrišek, Tomáš ; Dědič, Václav (vedoucí práce)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem s vysokou tepelnou, chemickou a mechanickou odolností. Pomocí termální dekompozice křemíku z SiC je možno vyrůst na povrchu vysoce kvalitní epitaxní grafen, jehož výrobu je možné průmyslově škálovat. Tato práce zkoumá, zda je možné opticky hradlovat epitaxní grafen a jaký vliv na elektrickou stabilitu epitaxního grafenu má okolní prostředí. Experimentální část práce se skládá z optimalizace přípravy kontaktů vzorků pomocí elektronové litografie, měření vlivu okolní atmosféry na elektrické vlastnosti grafenu, měření závislosti proudu na optickém výkonu a spektrální závislosti fotovodivosti grafenu. Během měření byl prokázán značný vliv adsorpce molekul z prostředí na elektrické vlastnosti grafenu.
|
|
|
Studium elektrických polí v karbidu křemíku
Sanitrák, Jakub ; Dědič, Václav (vedoucí práce) ; Trojánek, František (oponent)
Karbid křemíku (SiC) je díky svým unikátním elektrickým a mechanickým vlastnos- tem velmi důležitým materiálem pro fotoniku a elektroniku. Hexagonální polytypy SiC se používají jako substráty pro růst epitaxního grafénu. SiC vykazuje Pockelsův lineární elektrooptický jev. Cílem této práce bylo využít Pockelsova jevu a vyvinout tak me- todu pro studium profilů vnitřních elektrických polí a akumulace elektrických nábojů v SiC, jejichž variace může ovlivnit činnost optoelektronických součástek. Metoda spočívá v komplexním vyhodnocení optických propustností krystalů vložených mezi zkřížené po- larizátory. Ukázalo se, že excitační světlo s energií fotonů poblíž zakázaného pásu SiC významně ovlivňuje profily vnitřního elektrického pole díky akumulaci fotogenerovaného náboje na pastech. V závěru práce je kladen důraz na diskuzi příčin ovlivňujících přesnost této nové metody. 1
|
|
|
Optické hradlování epitaxního grafénu
Fridrišek, Tomáš ; Dědič, Václav (vedoucí práce) ; Nádvorník, Lukáš (oponent)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem s vysokou tepelnou, chemickou a mechanickou odolností. Pomocí termální dekompozice křemíku z SiC je možno vyrůst na povrchu vysoce kvalitní epitaxní grafen, jehož výrobu je možné průmyslově škálovat. Tato práce zkoumá, zda je možné opticky hradlovat epitaxní grafen a jaký vliv na elektrickou stabilitu epitaxního grafenu má okolní prostředí. Experimentální část práce se skládá z optimalizace přípravy kontaktů vzorků pomocí elektronové litografie, měření vlivu okolní atmosféry na elektrické vlastnosti grafenu, měření závislosti proudu na optickém výkonu a spektrální závislosti fotovodivosti grafenu. Během měření byl prokázán značný vliv adsorpce molekul z prostředí na elektrické vlastnosti grafenu.
|
|
|
Studium spinové dynamiky v magnetických kovech pomocí terahertzové a optické spektroskopie
Jechumtál, Jiří ; Nádvorník, Lukáš (vedoucí práce) ; Dědič, Václav (oponent)
Pochopení dynamiky ultrarychlých spinových procesů je zásadním krokem pro aplikace a další vývoj nových spintronických součástek. Ultrarychlá spin- tronika představuje slibnou cestu k rychlejším a energeticky méně náročným technologiím ve srovnání se současnou elektronikou. Nedávné studie naznačují nové možnosti zkoumání ultrarychlého spinového transportu v kolmém směru k rovině vzorku pomocí metody spintronického generování terahertzových (THz) pulzů. Tato práce se zaměřuje na určení povahy tohoto spinového transportu ve spintronických THz emitorech přímým experimentálním vyhodnocením re- laxační délky spinového proudu a rychlosti šíření spinu. Naše výsledky naznačují, že ultrarychlé spinové proudy jsou balistické povahy a doba relaxace spinového proudu je omezena rozptylovým časem a relaxační délka střední volnou dráhou. Další nedávno publikovanou metodou, rovněž použitou v této práci, je bezkon- taktní THz měření anizotropní magnetorezistence (AMR). V tenké vrstvě kobalt- železa demonstrujeme, že AMR, centrální jev běžně používaný v antiferomag- netické spintronice ke čtení stavu magnetického uspořádání, lze zkoumat THz spektroskopií, a to i v případě, kdy dominuje krystalický člen....
|
|
| |
|
|
Fotoelektrický transport ve vysokoodporovém CdTe pro detektory rentgenova záření
Dědič, Václav ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Šikula, Josef (oponent)
CdTe semiconductor is a good material for the construction of X-ray and gamma ray detectors. Its physical properties are strongly influenced by an existence of deep levels in the forbidden band. This thesis deals with an influence of deep levels to the photoelectric transport in high resistivity CdTe. Experimental part of this thesis consits of measurement of slopes of Lux-Ampere characteristics of variously doped CdTe samples depended on voltage and energy of excitation. Gradients of measured guidelines of Lux-Ampere characteristics show strong dependency on an electric charge accumulated on deep levels. This thesis also contains numerical models of photoconductivity for various parameters of material.
|
|
|
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Dědič, Václav
CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s Schottkyho bariérou a zachycením fotogenerovaného náboje může vést k časově závislé změně efektivity sběru náboje v CdTe a CdZnTe detektorech známé jako polarizační jev. Tato práce se zabývá především studiem profilů elektrických polí v detektorech za tmy a za vysokých fotonových toků simulujících provoz detektoru pomocí metody zkřížených polarizátorů využívající elektro-optický (Pockelsův) jev. Dále se práce zabývá studiem hlubokých hladin zodpovědných za polarizaci a vlivem kontaktních kovů na akumulaci náboje. Některé experimentální výsledky jsou podpořeny teoretickými simulacemi. Měření byla provedena na třech sadách vzorků opatřených různými kontaktními kovy (Au, In) připravených ze tří různých n-typových materiálů CdTe a CdZnTe. Energetické hladiny byly detekovány za použití metod založených na Pockelsově jevu a měření vybíjecích proudů. Detailní studium vnitřních elektrických polí ukazuje na zásadní vliv energetických hladin poblíž středu zakázaného pásu souvisejících s krystalovými poruchami a kontaktních kovů na polarizaci v polovodičových detektorech za vysokých toků záření. Powered...
|
|
|
Měření elektrického pole v polovodičovém detektoru s netriviální geometrií kontaktů
Fridrišek, Tomáš ; Dědič, Václav (vedoucí práce) ; Trojánek, František (oponent)
Hlavním cílem bakalářské práce bylo prozkoumat, zdali je možné použít novou metodu využívající elektrooptický Pockelsův jev ke studiu vnitřního elektrického pole v polovodičovém detektoru gama záření s koplanární mřížkou. Změřením elektrického pole detektoru s triviální geometrií kontaktů byl určen Pockelsův koeficient pro CdZnTe. Následně byl zjištěný Pockelsův koeficient použit pro vyhodnocení 2D vektorového pole u vzorků s netriviální geometrií kontaktů. Zmíněnou metodou se podařilo vyhodnotit intenzitu elektrického pole v téměř celém objemu detektorů s koplanární mřížkou.
|
|
|
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Dědič, Václav ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Oswald, Jiří (oponent) ; Štekl, Ivan (oponent)
CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s Schottkyho bariérou a zachycením fotogenerovaného náboje může vést k časově závislé změně efektivity sběru náboje v CdTe a CdZnTe detektorech známé jako polarizační jev. Tato práce se zabývá především studiem profilů elektrických polí v detektorech za tmy a za vysokých fotonových toků simulujících provoz detektoru pomocí metody zkřížených polarizátorů využívající elektro-optický (Pockelsův) jev. Dále se práce zabývá studiem hlubokých hladin zodpovědných za polarizaci a vlivem kontaktních kovů na akumulaci náboje. Některé experimentální výsledky jsou podpořeny teoretickými simulacemi. Měření byla provedena na třech sadách vzorků opatřených různými kontaktními kovy (Au, In) připravených ze tří různých n-typových materiálů CdTe a CdZnTe. Energetické hladiny byly detekovány za použití metod založených na Pockelsově jevu a měření vybíjecích proudů. Detailní studium vnitřních elektrických polí ukazuje na zásadní vliv energetických hladin poblíž středu zakázaného pásu souvisejících s krystalovými poruchami a kontaktních kovů na polarizaci v polovodičových detektorech za vysokých toků záření. Powered...
|
|
|
Influence of Deep Levels on Charge Transport in CdTe and CdZnTe
Dědič, Václav
CdTe a CdZnTe jsou perspektivní materiály pro detektory Rentgenového a gama záření pracující za pokojové teploty. Akumulace prostorového náboje na hlubokých energetických hladinách způsobená zahnutím pásu u kontaktu s Schottkyho bariérou a zachycením fotogenerovaného náboje může vést k časově závislé změně efektivity sběru náboje v CdTe a CdZnTe detektorech známé jako polarizační jev. Tato práce se zabývá především studiem profilů elektrických polí v detektorech za tmy a za vysokých fotonových toků simulujících provoz detektoru pomocí metody zkřížených polarizátorů využívající elektro-optický (Pockelsův) jev. Dále se práce zabývá studiem hlubokých hladin zodpovědných za polarizaci a vlivem kontaktních kovů na akumulaci náboje. Některé experimentální výsledky jsou podpořeny teoretickými simulacemi. Měření byla provedena na třech sadách vzorků opatřených různými kontaktními kovy (Au, In) připravených ze tří různých n-typových materiálů CdTe a CdZnTe. Energetické hladiny byly detekovány za použití metod založených na Pockelsově jevu a měření vybíjecích proudů. Detailní studium vnitřních elektrických polí ukazuje na zásadní vliv energetických hladin poblíž středu zakázaného pásu souvisejících s krystalovými poruchami a kontaktních kovů na polarizaci v polovodičových detektorech za vysokých toků záření. Powered...
|
host ::
RSS.