Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 1 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Studium elektrických polí v karbidu křemíku
Sanitrák, Jakub ; Dědič, Václav (vedoucí práce) ; Trojánek, František (oponent)
Karbid křemíku (SiC) je díky svým unikátním elektrickým a mechanickým vlastnos- tem velmi důležitým materiálem pro fotoniku a elektroniku. Hexagonální polytypy SiC se používají jako substráty pro růst epitaxního grafénu. SiC vykazuje Pockelsův lineární elektrooptický jev. Cílem této práce bylo využít Pockelsova jevu a vyvinout tak me- todu pro studium profilů vnitřních elektrických polí a akumulace elektrických nábojů v SiC, jejichž variace může ovlivnit činnost optoelektronických součástek. Metoda spočívá v komplexním vyhodnocení optických propustností krystalů vložených mezi zkřížené po- larizátory. Ukázalo se, že excitační světlo s energií fotonů poblíž zakázaného pásu SiC významně ovlivňuje profily vnitřního elektrického pole díky akumulaci fotogenerovaného náboje na pastech. V závěru práce je kladen důraz na diskuzi příčin ovlivňujících přesnost této nové metody. 1

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.