|
| |
|
| |
|
|
Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB
Mareš, Petr ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Práce se zabývá selektivním růstem krystalů GaN na SiO2. Teoretická část pojednává o charakteru růstu ultratenkých vrstev s důrazem na nitrid gallia a metody jeho přípravy. Teoretická část také obsahuje popis metody fokusovaného iontového svazku a základní principy dalších metod, které byly používány pro analýzu vzorků (AFM, XPS, fotoluminiscenční spektroskopie). Experimentální část se zabývá depozicí GaN na Si(111) s nativní vrstvou oxidu křemíku SiO2 (1-2 nm). Fokusovaným iontovým svazkem byly na substrátu vytvořeny vhodné struktury pro selektivní růst. Selektivního růstu bylo dosaženo pomocí metody postnitridace. Následně práce studuje principy unikátní metody pulzní depozice GaN, zejména ve vztahu k možnosti řízení velikosti krystalů GaN.
|
|
|
Návrh iontového zdroje pro odprašování
Glajc, Petr ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá vývojem nového typu iontového zdroje. Jejím cílem je navrhnout iontový zdroj se sedlovým polem pro odprašování. Inovací ve vypracovaném návrhu je kombinace klasického válcově symetrického iontového zdroje a žhavené katody vyrobené z wolframu. V první části práce je uvedena rešerše problematiky iontových zdrojů. Druhá část se zabývá elektronově-optickým návrhem zdroje a simulací elektrostatického pole včetně trajektorií elektronů a iontů. Jsou také odhadnuty některé parametry iontového zdroje. V třetí části je detailně popsán konstrukční návrh založený na předchozích simulacích. Součástí práce je kompletní výkresová dokumentace.
|
|
|
Rekonstrukce iontového děla a jeho aplikace pro tvorbu tenkých vrstev a nanostruktur
Novák, Tomáš ; Mach, Jindřich (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá úpravou a experimentálním využitím iontového zařízení, které vytváří a transportuje svazek iontů dusíku o energiích desítek až stovek eV. V kombinaci s galliovou efúzní celou toto zařízení slouží k depozici tenkých vrstev nitridu gallitého (GaN). Zkrácením jeho iontově-optické části byl výrazně zvýšen proud dusíkového iontového svazku. Zachování ultravakuových podmínek v depoziční komoře je zajištěno diferenciálním čerpáním systému. Optimalizací provozních parametrů upraveného iontového děla byly nalezeny profily proudové hustoty iontového svazku vhodné k experimentům s depozicí GaN. Depoziční rychlost systému se díky zesílení iontového svazku zvýšila z desetin nm/h na více než 10 nm/h. Jako substrát pro depozici slouží k experimentům popsaným v této práci monokrystalický křemík (111). Při depozicích GaN byl sledován vliv množství dopadajícího gallia a iontů dusíku na růst vrstev. Dále byl zkoumán vliv zlatých nanočástic nanesených na substrát na růst GaN vrstvy. Vzorky byly analyzovány elektronovým mikroskopem a mikroskopem atomárních sil. Bylo pozorováno několik specifických morfologií deponovaných vrstev.
|
|
|
Příprava ultratenkých vrstev SiN
Dvořák, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na realizaci, testování a kalibrování efuzní cely poskytující atomární svazky Si o termální energii (0,1 - 1 eV). Tyto svazku jsou užity k přípravě ultratenkých vrstev Si a SiN. Je zpracována rešeršní studie dosavadních poznatků o nitridu křemíku a jeho aplikaci v polovodičovém průmyslu. Dále byly provedeny první experimenty s depozicemi ultratenkých vrstev Si a SiN. Tyto vrstvy byly analyzovány metodami rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM).
|
|
|
Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Tihlařík, Jan ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Práce se zabývá problematikou tvorby iontových svazků. Je zde popsán vliv iontové optiky na formování svazku a růst ultratenkých vrstev GaN, jakož i optimalizace zdroje k depozici a měření vlastností iontového svazku. V rámci práce byly provedeny depozice GaN ultratenkých vrstev na substrát Si(111)dH za pokojové teploty pro různá nastavení elektrických potenciálů na elektrodách iontově-atomárního zdroje.
|
|
|
Návrh a konstrukce efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev
Křápek, Ondřej ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii.
|
|
|
Řízení depozičního procesu pomocí počítače
Pavera, Michal ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá problematikou spojenou s návrhem automatizace depozice ultratenkých vrstev metodou IBAD. Jedním z úkolů bakalářské práce je návrh a realizace ovládání držáku substrátu a terče. Tato práce tedy obsahuje výkresovou dokumentaci úpravy manipulátorů držáku terče a ovládání clony, pro možnost jejich ovládání pomocí krokových motorů. Dalším úkolem je návrh elektrického a programového řízení primárního a sekundárního iontového zdroje. Je zde tedy popsáno řešení propojení celé aparatury s počítačem pomocí AD/DA převodníků a jejich vhodné naprogramování. V závěru jsou diskutovány rozdíly mezi manuálním a automatizovaným ovládání a také jejich klady a zápory.
|
|
| |
host ::
RSS.