Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 53 záznamů.  předchozí11 - 20dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Ovlivnění efektivity sběru náboje v detektorech záření laserovými pulsy.
Betušiak, Marián ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Oswald, Jiří (oponent)
Hlavným cieľom tejto diplomovej práce je charakterizácia transport náboja v CdZnTe radiačných detektoroch a stúdia vplyvu osvetlenia detektoru na transport náboja.Transportné vlastnosti sú zmerané pomocou metódy laserom-indukovaných tranzientných prúdov a simulácia Monte Carlo bola použitá na fitovanie meraných prúdových waveform. V tejto práci boli skúmané vlastnosti detektoru pripraveného semi-izolačného monokryštálu CdZnTe s platinovými Schottkyho kontaktami za tmy v nepolarizovanom a polarizovanom stave. Vlastnosti detektoru boli tiež skúmané s kontinuálnym nadgapovým LED osvetlením anódy a katódy.
Point defects in materials for detection of X-ray and gamma radiation
Rejhon, Martin ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Oswald, Jiří (oponent) ; Toušek, Jiří (oponent)
Název Práce: Bodové defekty v materiálech pro detekci Rentgenova a gama záření Autor: Martin Rejhon Katedra: Institute of Physics of Charles University Školitel: prof. Ing. Jan Franc, DrSc., Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Abstrakt: Telurid kademnatý a jeho sloučeniny jsou vhodnými materiály pro výrobu detektorů rentgenového a gamma záření pracujících za pokojové teploty. Kvalita detektoru je ovlivněna nedokonalostí materiálu, jako jsou krystalové de- fekty a nečistoty. To vede k formování hlubokých hladin, které působí jako rekom- binační a záchytná centra. Poté nahromaděný prostorový náboj na hlubokých hladinách ovlivňuje elektrické a spektroskopické vlastnosti detektoru. Což v konečném důsledku může vést k polarizačnímu efektu, kdy elektrické pole je lokalizováno v blízkosti jednoho kontaktu a detekční vlastnosti jsou snížené. Tato práce se zabývá komplexním studiem pásové struktury detektoru za pomoci rozlišných metod se zaměřením na rozdílnosti mezi CdTe, CdZnTe, CdTeSe a CdZnTeSe. Elektro-optický Pockelsův jev je použit na zkoumaní vlivu osvětlení v rozmezí 900 − 1800 nm na vnitřní elektrické pole. Teplotní a časové vývoje elektrického pole po zapnutí napětí nebo vypnutí přídavného světla o vlnové...
Nanostructured layer enhancing light extraction from GaN-based scintillator using MOVPE
Vaněk, Tomáš ; Hubáček, Tomáš ; Hájek, František ; Dominec, Filip ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice
Light extraction (LE) efficiency of GaN buffer layer was studied by angle-resolved photoluminescence. We measured enhancement of light extraction efficiency (LEE) up to 154% by introducing the SiNx layer atop the GaN buffer and subsequent GaN light extraction layer (LEL) overgrowth. Morphological properties of GaN.
Ovlivnění efektivity sběru náboje v detektorech záření laserovými pulsy.
Betušiak, Marián ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Oswald, Jiří (oponent)
Hlavným cieľom tejto diplomovej práce je charakterizácia transport náboja v CdZnTe radiačných detektoroch a stúdia vplyvu osvetlenia detektoru na transport náboja.Transportné vlastnosti sú zmerané pomocou metódy laserom-indukovaných tranzientných prúdov a simulácia Monte Carlo bola použitá na fitovanie meraných prúdových waveform. V tejto práci boli skúmané vlastnosti detektoru pripraveného semi-izolačného monokryštálu CdZnTe s platinovými Schottkyho kontaktami za tmy v nepolarizovanom a polarizovanom stave. Vlastnosti detektoru boli tiež skúmané s kontinuálnym nadgapovým LED osvetlením anódy a katódy.
Point defects in materials for detection of X-ray and gamma radiation
Rejhon, Martin ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Oswald, Jiří (oponent) ; Toušek, Jiří (oponent)
Název Práce: Bodové defekty v materiálech pro detekci Rentgenova a gama záření Autor: Martin Rejhon Katedra: Institute of Physics of Charles University Školitel: prof. Ing. Jan Franc, DrSc., Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Abstrakt: Telurid kademnatý a jeho sloučeniny jsou vhodnými materiály pro výrobu detektorů rentgenového a gamma záření pracujících za pokojové teploty. Kvalita detektoru je ovlivněna nedokonalostí materiálu, jako jsou krystalové de- fekty a nečistoty. To vede k formování hlubokých hladin, které působí jako rekom- binační a záchytná centra. Poté nahromaděný prostorový náboj na hlubokých hladinách ovlivňuje elektrické a spektroskopické vlastnosti detektoru. Což v konečném důsledku může vést k polarizačnímu efektu, kdy elektrické pole je lokalizováno v blízkosti jednoho kontaktu a detekční vlastnosti jsou snížené. Tato práce se zabývá komplexním studiem pásové struktury detektoru za pomoci rozlišných metod se zaměřením na rozdílnosti mezi CdTe, CdZnTe, CdTeSe a CdZnTeSe. Elektro-optický Pockelsův jev je použit na zkoumaní vlivu osvětlení v rozmezí 900 − 1800 nm na vnitřní elektrické pole. Teplotní a časové vývoje elektrického pole po zapnutí napětí nebo vypnutí přídavného světla o vlnové...
Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Oswald, Jiří ; Slavická Zíková, Markéta
Luminescence of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure is strongly affected by spontaneous and piezoelectric polarizations. To suppress them, doping with shallow impurities (e. g. Si) can be used. This works presents the effects of Si doping in different layers around the MQW area. On the basis of photoluminescence and cathodoluminescence measurements and band structure simulation, the piezoelectric field is most efficiently reduced when both layers under and over MQW area are Si doped.\n
Photo-Hall effect spectroscopy and laser-induced transient currents in CdTe-based semiconductor radiation detectors
Musiienko, Artem ; Grill, Roman (vedoucí práce) ; Dubecký, František (oponent) ; Oswald, Jiří (oponent)
Název: Foto-Hallovská spektroskopie a laserem indukované tranzientní proudy v polovodičových detektorech na bázi CdTe Autor: Artem Musiienko Pracoviště: Fyzikální Ústav, MFF UK Vedoucí disertační práce: Prof. RNDr. Roman Grill, CSc, Fyzikální Ústav, MFF UK Abstrakt: Tellurid kademnatý, tellurid zinečnato-kademnatý a tellurid manganato-kademnatý jsou důležité polovodiče používané v detektorech záření, solárních článcích a elektrooptických modulátorech. Jejich elektrické a optické vlastnosti jsou podstatně ovlivňovány poruchami, které se projevují jako energetické hladiny uvnitř pásu zakázaných energií. Tyto poruchy tvoří rekombinační a pasťová centra, která zachytávají světlem generované nosiče a zhoršují detekční vlastnosti detektorů. Současně změna obsazení hladin vede k nabíjení objemu detektoru, což vede ke stínění přiloženého elektrického pole a ke ztrátě citlivosti detektoru. Podrobná znalost struktury defektů v krystalu je proto nezbytná pro stanovení kvality detektoru a také pro možnost snížení koncentrace defektů. Tato dizertace se zabývá výzkumem hlubokých energetických hladin v detektorových materiálech na bázi CdTe s vysokým měrným elektrickým odporem pomocí foto-Hallovy spektroskopie. Klasický přístup je také rozšířen o paralelní excitaci světlem o dvou vlnových délkách a monochromatickou...
Room-temperature semiconducting detectors
Pekárek, Jakub ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Oswald, Jiří (oponent) ; Štekl, Ivan (oponent)
Polovodičový materiál CdTe/CdZnTe má díky svým vlastnostem obrovský aplikační potenciál spektroskopických radiačních detektorech pracujících za pokojové teploty. Takové detektory mohou být využity v lékařství, národní bezpečnosti a pro monitorování jaderných zařízení. Nicméně výsledná kvalita vyrobeného zařízení je ovlivněna mnoha parametry. Jedním z klíčových kroků při výrobě detektorů je použití správné povrchové úpravy. Podrobná studie povrchových úprav a jejich vliv na konečné detekční zařízení je zde uvedena. Další zásadní problémem je polarizace detektoru způsobená vysokým tokem detekovaného záření, který negativně ovlivňuje použití takových zařízení. Polarizace nastává zachycením fotogenerovaných děr v hlubokých pastech uvnitř polovodiče. Možná depolarizace detektoru infračerveným osvětlením během jeho chodu byla experimentálně ověřena a získané výsledky jsou uvedeny v této práci. Pro optimální technologii přípravy je také nutné vyvinout metodu rychlé charakterizace připravených detektorů. Posledním cílem disertační práce je proto studium výsledné kvality připravených planárních a koplanárních detektorů metodou měření transientních proudů (TCT). Jedná se o elektrooptickou metodu, která umožňuje určit různé transportní vlastnosti detektorů záření, jako je vnitřní profil elektrického pole, účinnost...
Photoconductivity, photoluminescence and charge collection in semiinsulating CdTe and CdZnTe
Zázvorka, Jakub ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Humlíček, Josef (oponent) ; Oswald, Jiří (oponent)
Název práce: Fotovodivost, fotoluminiscence a sběr náboje v semiizolačním CdTe a CdZnTe Autor: Jakub Zázvorka Katedra / Ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí disertační práce: prof. Ing. Jan Franc, DrSc., Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Abstrakt: Telurid kademnatý (CdTe) a jeho sloučeniny jsou perspektivními materiály pro výrobu nechlazených detektorů vysokoenergetického záření. Příprava výsledného zařízení je ale ovlivněna mnoha parametry jako jsou materiálové nečistoty a defekty, homogenita a příprava povrchu materiálu. Tato teze obsahuje detailní studii vlivu přípravy vzorků a jevů ovlivňujících spektrální rozlišení a práci výsledného detektoru. Přítomnost hlubokých hladin je zkoumána pomocí fotoluminiscence a korelována s dalšími elektro-optickými měřeními, která se zabývají vlivem strukturálních vad materiálu. Rozbor homogenity odporu a fotovodivosti v porovnání s detektivitou vzorku a jeho elektrickými vlastnostmi je studován pomocí elektrických měření transportu a sběru fotogenerovaného náboje. Získané výsledky jsou vyhodnoceny a porovnány s teoretickým modelem a výpočty. Naměřené jevy jsou objasněny pomocí teorie posunu Fermiho hladiny. Dále je zkoumán vliv přípravy povrchu a jeho oxidace na měření odporu a fotovodivosti a celkové chování CdTe a CdZnTe. Jsou pozorovány změny...

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 53 záznamů.   předchozí11 - 20dalšíkonec  přejít na záznam:
Viz též: podobná jména autorů
1 Oswald, Jaroslav
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.