Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 242 záznamů.  začátekpředchozí215 - 224dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.02 vteřin. 
Grafenový fotodetektor využívající plazmonických efektů
Horáček, Matěj ; Hájková,, Zdenka (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá vývojem nového hybridního zařízení pro fotodetekci, jehož princip se opírá o dvě velmi významné a aktuální oblasti současného vědeckého výzkumu – grafen a plazmonika. Vlastní odezva grafenu na dopadající světelné záření je v tomto zařízení značně zvýšena umístěním zlatých nanotyčinek na povrch grafenu, vykazujících jedinečnou optickou odezvu danou lokalizovanými povrchovými plazmony. Tato zvýšená fotoelektrická reakce je způsobena redistribucí energie oscilujících elektronů v nanočástici do grafenové vrstvy. Konkrétní mechanismus redistribuce energie je studován pomocí rozptylové spektroskopie jednotlivých částic, kde je zkoumán vliv počtu grafenových vrstev pod nanočásticí na rozšíření rezonančního píku. Mimořádně velké rozšíření rezonančního píku pro částice položené na grafen naznačuje přítomnost nebývalého procesu tlumení plazmonické rezonance. Toto neobvyklé tlumení je připsáno přenosu horkých elektronů ze zlaté nanotyčinky do grafenové vrstvy.
Příprava grafenových vrstev pokrytých Ga atomy a charakterizace jejich elektrických vlastností
Piastek, Jakub ; Kromka, Alexander (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem charakterizace elektrických vlastností grafenových vrstev pokrytých Ga atomy. Substráty s elektrickými kontakty byly připraveny laserovou litografií a grafenová vrstva byla připravena pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (CVD). Experimentálně byla zkoumán posuv Diracova bodu v závislosti na době depozice atomů galia na povrch grafenu. Byl také zkoumán vliv depozice atomárního vodíku na povrch grafenu. Výsledky měření a jejich zhodnocení jsou diskutovány v této práci.
Aplikace grafénové membrány v nanoelektronických zařízeních
Kormoš, Lukáš ; Drbohlavová, Jana (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Táto diplomová práca je zameraná na aplikácie a výrobu grafénovej membrány z grafénu vyrobeného pomocov chemickej depozície z plynnej fáze. Teoretická časť sa zaoberá transportnými vlastnosťami grafénu a viacerými rozptylovými procesmi, ktoré obmedzujú pohyblivosť nosičov náboja v tomto materiáli. Súčasťou teoretickej časti je krátka recenzia aplikácií grafénových membrán. Experimentálna časť prezentuje výrobný proces pre dosiahnutie zaveseného grafenového zariadenia s využitím elektrónové litografie, fokusovaného zväzku iónov, chemického leptania a tvarovanie grafenovej vrstvy. Grafénová membrána je charakterizovaná meraním transportných vlastností a tieto sú následne porovnané s grafénom položeným na substráte.
Výpočty interakce systému grafen/SiO2 s adsorbovanými atomy a molekulami pomocí DFT metod
Nezval, David ; Friák, Martin (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce studuje změny elektrických vlastností grafenu vlivem substrátu SiO2, adsorbovaných molekul vody a atomů gallia. Jsou zde testovány různé geometrické konfigurace těchto systémů a následně počítána pásová spektra pro odvození změn elektronových vlastností: zejména dopování a otevírání pásu zakázaných energií grafenové vrstvy.
The preparation and characterisation of electrical properties of graphene CVD monocrystals
Hulva, Jan ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Chemical Vapor Deposition (CVD) of graphene is the method of graphene synthesis capable of producing predominantly single layer graphene of large area. Part of the experimental work of this thesis is focused on the deposition and analysis of single-crystalline graphene domains grown by CVD on a copper foil. These domains are analyzed by the optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The next part of the work was devoted to iden- tification of defects present on the Cu foil after the deposition of graphene by means of energy dispersive X-ray spectroscopy. The amount of the defects was reduced by the adjustment of the deposition system although not all types of the defects were completely removed. Electronic transport properties of deposited graphene layers were performed in the last part. The results contain measurement of graphene in vacuum with applied back gate voltage and low temperature measurement with applied magnetic field.
Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Mareš, Petr ; Hospodková,, Alice (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností Ga a GaN nanostruktur na grafenu. Teoretická část této práce popisuje základní vlastnosti grafenu a GaN a problematiku jejich výroby s důrazem na důležitost Ga a GaN pro grafen. Experimentální část této práce se zabývá depozicemi Ga na grafen, který je připravený metodou CVD a přenesen na SiO2. Tyto vzorky jsou studovány pomocí různých metod (XPS, AFM, SEM, Ramanova spektroskopie, EDX). Vlastnosti Ga na povrchu grafenu jsou diskutovány, zejména z hlediska povrchově zesíleného ramanova jevu (SERS). Následně jsou provedeny depozice Ga na exfoliovaný grafen a na grafen na měděné folii. GaN je připraven pomocí nitridace galliových struktur na grafenu. Tento děj je podrobně studován analýzou XPS měření výrazného Ga píku a valenčního pásu grafenu v průběho tohoto děje.
Preparation and Utilization of Exfoliated Graphite/Graphene Layers in Nanosensorics
Hrabovský, Miloš ; Drbohlavová, Jana (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
This diploma thesis deals with the fabrication of graphite/graphene layers and measurement of their transport properties as a function of relative humidity. Graphene flakes were deposited by mechanical exfoliation. For contacting the graphene flakes the electron beam lithography was used. Additional characterization was performed by optical microscopy, atomic force microscopy and scanning electron microscopy. The thesis describes the steps for the production, observation and characterization of the deposited graphene flakes
Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Dvořák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových vrstev pro depozice ultratenkých vrstev gallia a jeho nitridu. Grafenové substráty jsou připravovány metodou chemické depozice z plynné fáze ve vysokoteplotním reaktoru postaveném na Ústavu Fyzikální inženýrství. Po přenosu grafenových vrstev na křemíkové substráty, byla provedena série chemických a tepelných čištění povrchu grafenu. Takto připravené vzorky jsou vhodné pro studium růst ultratenkých vrstev Ga a GaN. Růst Ga a GaN byl realizován v prostředí ultravysokého vakua metodami molekulární svazkové epitaxe pro depozici gallia, respektive pomocí iontového zdroje pro nitridaci. Výsledné ultratenké vrstvy byly studovány metodami rentgenové fotospektroskopie, mikroskopií atomárních sil a rastrovacím elektronovým mikroskopem.
Aplikace KPM na povrchu grafén/Si modifikovaném metodou FIB
Konečný, Martin ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce je zaměřená na aplikaci kelvinovské hrotové mikroskopie na grafenu připraveného metodou chemické depozice z plynné fáze. Teoretická část pojednává o kelvinovské hrotové mikroskopii, o metodě fokusovaného iontového svazku a o základních vlastnostech grafenu a jeho výrobě. Experimentální část je zaměřená na přípravu grafenových membrán na podložním substrátu modifikovaném fokusovaným iontovým svazkem a na měření povrchového potenciálu na takto připravených membránách. Dále se experimentální část zabývá možností využití mikroskopu atomárních sil při přípravě grafenových nanostruktur.
Modelování šíření povrchových plazmonů v grafenu
Hrtoň, Martin ; Munzar,, Dominik (oponent) ; Kalousek, Radek (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá transportními a optickými vlastnostmi grafenu, a to zejména v kontexu jejich možné ovládání pomocí elektrostatického gatování. Autor představuje návrh experimentu, který by demonstroval praktické možnosti využití grafenu v oblasti aktivní plazmoniky. Těžiště práce spočívá v počítačových simulacích rozptylu světla na hybridních strukturách na bázi grafenu a drahých kovů. Rozptylové vlastnosti těchto struktur jsou diskutovány v závislosti na hustotě volných nosičů náboje v grafenu. Autor dochází k závěru, že navrhovaný způsob řízení odezvy osamocené plazmonické antény elektrostatickým gatováním je nedostačující a k zvýšení tohoto efektu bude potřeba najít jinou vhodnější konfiguraci.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 242 záznamů.   začátekpředchozí215 - 224dalšíkonec  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.