|
|
Selektivní depozice stříbrných nanočástic z roztoku
Salajková, Zita ; Bartoš, Miroslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Stříbrné nanočástice mají rozsáhlé uplatnění v plazmonice. Selektivní depozice nanočástic z koloidních roztoku na přesně definované místo na substrátu je obtížná, proto se nabízí postup jak nanočástice vhodnou technikou připravit přímo na povrchu. Práce je zaměřena na selektivního depozici stříbrných nanočástic z koloidního roztoku nanočástic nebo roztoku stříbrných iontů pomocí elektronového svazku. Zvládnutí deponování může vést ke vzniku nanostruktur přesně definovaného tvaru přímo na povrchu substrátu. Je zkoumán vliv intenzity elektronového svazku na odprášení oxidu křemičitého a chování nanočástic v roztoku s různou hodnotou pH. Znalosti jsou využity k popisu hypotéz vzniku selektivní depozice nanočástic a pro jejich následné experimentální ověření. Nakonec je uveden průběh světlem řízeného růstu nanohranolů ze sférických nanozárodků.
|
|
|
Návrh iontového zdroje pro odprašování
Glajc, Petr ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá vývojem nového typu iontového zdroje. Jejím cílem je navrhnout iontový zdroj se sedlovým polem pro odprašování. Inovací ve vypracovaném návrhu je kombinace klasického válcově symetrického iontového zdroje a žhavené katody vyrobené z wolframu. V první části práce je uvedena rešerše problematiky iontových zdrojů. Druhá část se zabývá elektronově-optickým návrhem zdroje a simulací elektrostatického pole včetně trajektorií elektronů a iontů. Jsou také odhadnuty některé parametry iontového zdroje. V třetí části je detailně popsán konstrukční návrh založený na předchozích simulacích. Součástí práce je kompletní výkresová dokumentace.
|
|
|
Modelování růstu polovodičových nanovláken
Kovács, Roland ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá modelováním růstu polovodičových nanovláken. Práce obsahuje popis mechanizmu růstu pomocí metody vapor-liquid-solid (VLS). Hlavním cílem je simulace rozložení materiálu v eutektické kapce v počáteční fázi růstu. Byly vytvořeny matematické modely, které popisují různé situace difuze materiálu v kapce. Simulační model je naprogramován v prostředí MATLAB.
|
|
|
Integration of nanostructures into functional devices
Citterberg, Daniel ; Mikulík, Petr (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
This master thesis is focused on characterization of electrical transport properties of one-dimensional nanostructures. First section of this work deals with theoretical description of the experimental approaches to realization of such measurements. This section involves also a detail discussion of preparation of contacts using e-beam lithography. Next, theoretical description of characterization of nanostructures using photoluminescence measurements is given. Second section describes practical application of the aforementioned electrical transport measurements. Presented results include transport and photoluminescence measurements of WS2 nanotubes, InAs and WO2.72 nanowires. The last section of this thesis deals with nanowire quantum well heterostructures. The section provides both a deeper theoretical view of the problem and results of the photoluminescence measurements are shown.
|
|
| |
|
|
Characterization of electronic properties of nanowires for electrochemistry
Kovařík, Martin ; Čech, Vladimír (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Electrochemical methods are widely used in many applications (e.g. sensing, energy storage or catalysis) with the advantage of their inexpensive instrumentation. In order to understand redox processes taking place at electrodes, the knowledge of electronic band structure of the electrode materials is very valuable. This thesis focuses on the analysis of work function and valence band edge position of novel electrode materials, in particular indium tin oxide decorated with tungsten disulfide nanotubes. Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy and Kelvin Probe Force Microscopy are used to measure those characteristics. A special emphasis is put on the electrode sample preparation to avoid misinterpretation of the results due to adventitious efects (e.g. contamination or surface modification).
|
|
|
Selektivní růst GaN na SiN
Hulva, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá selektivním růstem gallia a gallium nitridu na substrátech nitridu křemíku. Depozicí nízkoenergiových dusíkových iontů je na křemíkovém substrátu vytvořena vrstva nitridu křemíku (SiN). Na této vrstvě jsou litografickou metodou lokální anodické oxidace (LAO) připraveny oxidové struktury. Tyto substráty mohou být dále modifikovány odleptáním oxidových struktur kyselinou fluorovodíkovou. Modifikované substráty jsou použity pro depozici gallia nebo gallium nitridu v podmínkách ultravysokého vakua. Poté je studováno uspořádávání deponovaného materiálu v oblastech povrchů modifikovaných LAO. Chemické složení vrstev je studováno pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a úhlově závislé XPS (AR-XPS), morfologie povrchů je měřena pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM).
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Studium povrchové kontaminace optických dílů pomocí rozptylu nízkoenergiových iontů LEIS
Sekula, Filip ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Průša, Stanislav (vedoucí práce)
Tato práce se věnuje studiu povrchové kontaminace optických dílů metodou rozptylu nízkoenergiových iontů LEIS. Výskyt povrchových nečistot na optických komponentách má negativní dopad na tenké vrstvy na ně nanášené. Ke kontaminaci může docházet mezi jednotlivými kroky výroby. Určením složení těchto nečistot by bylo možné jim předcházet a zvýšit tak efektivitu vrstvících procesů. Měření je prováděno na pravoúhlých optických hranolech za pokojové teploty. Zabýváme se také konstrukcí držáku vzorků s možností jejich vyhřívání v preparační komoře. Dále se věnujeme referenčním měřením k následné kvantifikaci povrchových nečistot.
|
|
|
Modifikace růstu polovodičových nanovláken
Pejchal, Tomáš ; Grym, Jan (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá růstem polovodičových nanovláken na substrátu Ge(111). Nanovlákna byla připravena metodou PVD (physical vapor deposition), jejich růst byl katalyzován Au koloidními nanočásticemi. V práci je popsán vliv změny depozičních podmínek na výslednou morfologii nanovláken. Je ukázáno, že preferenčním směrem růstu Ge nanovláken je směr . Byla pozorována i Ge vlákna orientace .
|
host ::
RSS.