Original title: Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
Translated title: Deposition of Ga and GaN nanostructures on graphene substrate treated by atomic hydrogen
Authors: Bárdy, Stanislav ; Váňa, Rostislav (referee) ; Mach, Jindřich (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2016
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract: [cze] [eng]
V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga. In this work we studied gallium on graphene. Depositions were done by Molecular beam epitaxy. We observed Raman enhancement and peak shifts by individual Ga islands. Simulation confirmed our assumption, that the enhancement is based on plasmonics effect that is also the main contribution of Surface-enhanced Raman spectroscopy. Another result is hydrogenation of graphene before deposition does have an effect on Ga structure and reduces diffusion length of Ga atoms.
Keywords: gallium; graphene; molecular beam epitaxy; Raman enhancement; SERS; grafén; gálium; molekulová zväzková epitaxia; Ramanovo zosilnenie; SERS

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/60772

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-603604


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses