Název:
Výroba membrán pomocí anizotropního leptání křemíku
Překlad názvu:
Fabrication of SiO2 by anisotropic etching of silicon
Autoři:
Balajka, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce) Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok:
2011
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze][eng]
Bakalářská práce se zabývá přípravou membrán z oxidu křemičitého (SiO2) na křemíkovém (Si) substrátu pomocí anizotropního leptání křemíku. Masky pro anizotropní leptání křemíku byly vytvořeny pomocí elektronové litografie a chemického leptání SiO2. V práci jsou popsány jednotlivé kroky postupu přípravy membrán včetně použitých experimentálních podmínek. Za účelem optimalizace pracovního postupu bylo provedeno několik měření rychlosti leptání Si/SiO2 v různých roztocích. Výsledky těchto měření jsou zde rovněž uvedeny. Připravené membrány byly charakterizovány pomocí optické mikroskopie, rastrovací elektronové mikroskopie a spektroskopické reflektometrie. Součástí práce je i popis metod použitých pro přípravu a analýzu definovaných struktur připravených pomocí anizotropního leptání křemíku.
The aim of the bachelor's thesis is the fabrication of silicon dioxide (SiO2) membranes on silicon (Si) substrate by anisotropic etching of silicon. Masks for anisotropic silicon etching were prepared by electron beam litography and SiO2 wet etching. Individual steps of membrane fabrication are described, including used experimental conditions. In order to optimize the fabrication process, etch rates of Si/SiO2 in several solutions were measured. Results of the measurements are included in the thesis. Fabricated membranes were characterised by optical microscopy, scanning electron microscopy and spectroscopic reflectometry. Methods used for fabrication and analysis of defined structures created by anisotropic silicon etching are briefly summarized.
Klíčová slova:
ANIZOTROPNÍ LEPTÁNÍ KŘEMÍKU; ELEKTRONOVÁ LITOGRAFIE; KŘEMÍK; MEMBRÁNA; ANISOTROPIC SILICON ETCHING; ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY; MEMBRANE; SILICON
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/3525