Original title: Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Translated title: Development of Atomic- and Ion Beam Sources
Authors: Šamořil, Tomáš ; Lencová, Bohumila (referee) ; Mach, Jindřich (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2009
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract: [cze] [eng]
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace iontově-atomárního zdroje, která povede ke zlepšení vlastností iontově-atomárního svazku. Zlepšení parametrů svazku zvyšuje účinnost iontově-atomárního zdroje při depozicích ultratenkých gallium nitridových vrstev (GaN), jež jsou důležité pro výzkum v oblasti mikroelektroniky a optoelektroniky. Po uskutečnění optimalizace byly při nižších teplotách substrátu ( The objective of this master thesis was to provide the optimization of an ion-atom beam source for the improvement of its properties. The improvement of the parameters increases the efficiency of the source during the deposition of gallium nitride ultrathin films (GaN) being important in microeletronics and optoelectronics. After optimization, the depositions of GaN ultrathin films on Si(111) 7x7 at lower temperatures (
Keywords: AFM; atom source; gallium nitride; GaN; Ion source; ion-atom beam; ion-atom beam source; XPS; AFM; atomární zdroj; gallium nitrid; GaN; Iontový zdroj; iontově-atomární svazek; iontově-atomární zdroj svazků; XPS

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/10760

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-596560


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses