Název:
Příprava povrchů s difuzní bariérou pro studium počáteční fáze růstu polovodičových nanovláken
Překlad názvu:
Preparation of surfaces with diffusion barrier for studying initial phase of semiconductor nanowire growth
Autoři:
Andrýsek, Michal ; Lišková, Zuzana (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce) Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok:
2016
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze][eng]
Tato práce se zabývá přípravou povrchů s difuzními bariérami pro studium růstu germaniových nanodrátů. V práci je představen princip růstu polovodičových nanodrátů, úloha grafenu a oxidu hlinitého jako difuzních bariér při tomto růstu a jejich příprava. Grafen byl připraven metodou CVD a oxid hlinitý metodou ALD. Ukázalo se, že nanodráty na připravených vzorcích s difuzními bariérami nerostou.
This bachelor's thesis deals with preparation of surfaces with diffusion barriers for studying germanium nanowire growth. Semicondutor growth mechanism is explained as well as the role of diffusion barriers, such as graphene or aluminium oxide, during nanowire growth. Graphene was prepared using CVD method and aluminium oxide was prepared using ALD method. It is shown that nanowires could not grow on prepared samples with diffusion barriers on them.
Klíčová slova:
difuze; germanium; grafen; nanodráty; diffusion; germanium; graphene; nanowires
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/60952