Original title:
Depozice gallium-nitridových tenkých vrstev na křemíkové substráty strukturované elektronovou litografií
Translated title:
Gallium-nitride thin-film deposition on substrates structured by electron beam lithography
Authors:
Knotek, Miroslav ; Mach, Jindřich (referee) ; Voborný, Stanislav (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2013
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství Abstract:
[cze][eng]
Bakalářská práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallitého (GaN) na křemíkové substráty, které byly strukturovány elektronovou litografií. V práci jsou zkoumány možnosti použití rezistů pro selektivní růst nanostruktur za zvýšených teplot.
This bachelor's thesis deals with a fabrication of gallium nitride (GaN) thin films on silicon substrates, which were structured by electron beam lithography. In thesis, different resists for selective growth of nanostructures at elevated temperatures are examined.
Keywords:
deposition thin films; electron beam lithography; Gallium nitride; molecular epitaxy; positive and negative resists.; selective growth; depozice tenkých vrstev; elektronová litografie; molekulární epitaxe; Nitrid gallia; pozitivní a negativní rezisty.; selektivní růst
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/27902