Název: Vytváření trenčů o submikronové šířce pro moderní výkonové součástky
Překlad názvu: The formation of trenches with a submicron width for advanced power semiconductor devices
Autoři: Bolcek, Martin ; Jankovský, Jaroslav (oponent) ; Szendiuch, Ivan (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2019
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]

Klíčová slova: Bossungovy křivky; Fotolitografie; Matice zaostření-expozice; polovodičová výroba; příkopová Schottkyho dioda; Bossung curve; Focus-exposure Matrix; Photolithography; Semiconductor processing; Trech MOS Barrier Schottky rectifier

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/204678

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-546590


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce
 Záznam vytvořen dne 2024-04-02, naposledy upraven 2024-04-03.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet