Original title: Vytváření trenčů o submikronové šířce pro moderní výkonové součástky
Translated title: The formation of trenches with a submicron width for advanced power semiconductor devices
Authors: Bolcek, Martin ; Jankovský, Jaroslav (referee) ; Szendiuch, Ivan (advisor)
Document type: Master’s theses
Year: 2019
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract: [cze] [eng]

Keywords: Bossung curve; Focus-exposure Matrix; Photolithography; Semiconductor processing; Trech MOS Barrier Schottky rectifier; Bossungovy křivky; Fotolitografie; Matice zaostření-expozice; polovodičová výroba; příkopová Schottkyho dioda

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/204678

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-546590


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Master’s theses
 Record created 2024-04-02, last modified 2024-04-03


No fulltext
  • Export as DC, NUŠL, RIS
  • Share