Název: Terahertzová vodivost nositelů náboje v polovodičích
Překlad názvu: Terahertz conductivity of charge carriers in semiconductors
Autoři: Hendrych, Erik ; Kužel, Petr (vedoucí práce) ; Nádvorník, Lukáš (oponent)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2024
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
V této práci zkoumáme spektra vodivosti vzorků slabě dotovaného galium arsenidu v terahertzové oblasti v závislosti na teplotě. Jedná se o křemíkem dotovaný Galium arsenid typu N a zinkem dotovaný galium arsenid typu P. Teplotní závislost v terahert- zové oblasti pro tyto materiály nebyla dosud v literatuře popsána. Pozorujeme maxima vodivosti, která odpovídají energiím příměsových hladin v zakázeném pásu. Ke zpraco- vání dat využíváme Drude-Lorentzův model. Dosáhli jsme dobrého fitu naměřených dat. Koncentrace nositelů při pokojové teplotě odpovídá nominální hodnotě. Relaxační čas a vysokofrekvenční permitivita odpovídají tabelovaným hodnotám. Frekvence oscilátoru pro N typ přibližně odpovídá energii příměsové hladiny. Pro P typ je tato hodnota mimo měřený rozsah a vidíme pouze stoupání k tomuto maximu. 1 In this thesis, we investigate the conductivity spectra of samples of weakly doped gal- lium arsenide in the terahertz region as a function of temperature. These are silicon-doped gallium arsenide of type N and zinc-doped gallium arsenide of type P. The temperature dependence in the terahertz region for these materials has not yet been described in the literature. We observe conductivity maxima corresponding to the admixture energies in the forbidden band. We use the Drude-Lorentz model to process the data. We achieve a good fit of the measured data. The carrier concentration at room temperature corre- sponds to the nominal value. The relaxation time and high-frequency permittivity match the tabulated values. The oscillator frequency for the N type approximately matches the admixture energy. For the P type, this value is outside the measured range and only the rise to this maximum is seen. 1
Klíčová slova: excitace-sondování; fotovodivost; GaAs; InP; terahertz; ultrarychlé jevy; vodivost; conductivity; GaAs; InP; photoconductivity; pump-probe; terahertz; ultrafast phenomena

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/188399

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-541419


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce