Název:
Organické polovodiče na povrchu tolopogického izolátoru
Překlad názvu:
Organic semiconductors on topological insulators
Autoři:
Hrubá, Daniela ; Průša, Stanislav (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce) Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok:
2023
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze][eng]
Tato bakalářská práce se zabývá využitím topologického izolantu Bi2Se3 jako substrátu pro depozici různých typů organických molekul. Příprava substrátu probíhala metodou exfoliace v podmínkách ultravysokého vakua (UHV). Pro depozici molekul pentacenu, kyseliny 4,4'-bifenyl-dikarboxylové (BDA) a tetrakyanoquinodimetanu (TCNQ) byly použity efúzní cely. Kvalita a uspořádání vytvořených vrstev byla následně charakterizována nízkoenergiovou elektronovou mikroskopií (LEEM). V práci jsou diskutovány naměřené výsledky a chování molekul na povrchu krystalu po depozici. Difrakční obrazce byly použity pro vytvoření modelu uspořádání molekul v reálném prostoru.
This bachelor thesis is focused on the utilization of the topological insulator Bi2Se3 as a substrate for the deposition of different types of organic molecules. The substrate was prepared by exfoliation method under ultrahigh vacuum (UHV) conditions. The pentacene, 4,4'-biphenylcarboxylic acid (BDA), and tetracyanoquinodimethane (TCNQ) molecules were subsequently deposited using effusion cells. The quality and arrangement of the fabricated layers were characterized by low-energy electron microscopy (LEEM). The measured results and the behavior of the molecules on the crystal surface after their deposition are discussed. Diffraction patterns were used for design of real-space molecular arrangement model.
Klíčová slova:
BDA; Bi2Se3; depozice molekul; LEEM; metoda exfoliace; organické polovodiče; pentacen.; TCNQ; Topologické izolanty; BDA; Bi2Se3; exfoliation method; LEEM; molecular deposition; organic semiconductors; pentacene.; TCNQ; Topological insulators
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/211763