Název:
Chemická depozice diamantových tenkých vrstev z par plynů
Překlad názvu:
Chemical deposition of diamond thin films from gas vapors
Autoři:
Kromka, Alexander Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: LŠVT - Letní škola vakuové techniky 2022, Bítov (CZ), 20220530
Rok:
2022
Jazyk:
cze
Abstrakt: [cze][eng] Příprava diamantových vrstev a jejich (nano-) struktur vyžaduje zvládnutí více technologických kroků. V prvním kroku „diamantové technologie” je důležité aktivovat povrch nediamantové podložky vhodným procesem známým jako nukleace nebo zárodkování. Nejčastěji se jedná o proces pokrytí povrchu podložky (nano-) částicemi diamantu nebo aktivace povrchu podložky iontovým bombardováním. Druhým klíčovým krokem je samotný růst diamantové vrstvy tzv. chemickou depozicí z par plynů (tzv. „Chemical Vapor Deposition” - CVD) za nízkých tlaků (10 ÷ 10 000 Pa) a teplot v rozsahu 250 ÷ 1000 °C, která je nejčastěji realizována v plynné směsi metanu a vodíku v systému žhaveného vlákna nebo mikrovlnného plazmatu. V tomto příspěvku jsou oba technologické kroky, nukleace a růst, diskutovány se zřetelem aktuálních trendů a experimentálních aktivit probíhajících v laboratořích Fyzikálního ústavu AV ČR (FZÚ).\nThe preparation of diamond layers and their (nano-) structures requires the optimization of several technological steps. In the first step of “diamond technology” it is important to activate the surface of the non-diamond substrate by a suitable process known as nucleation or nucleation. The second key step is the growth of the diamond layer itself by chemical vapor deposition (CVD) under low pressures (10 ÷ 10,000 Pa) and temperatures in the range of 250 ÷ 1000 °C, and from a gas mixture of methane and hydrogen commonly used in a hot filament or microwave plasma CVD systems. In this paper, both technological steps, nucleation and growth, are discussed in light of current trends and experimental activities taking place in the laboratories of the Institute of Physics of the Academy of Sciences of the Czech Republic (FZÚ).
Klíčová slova:
chemical vapor deposition; diamond technology; nucleation Číslo projektu: LM2018110 (CEP) Poskytovatel projektu: GA MŠk Zdrojový dokument: Zpravodaj ČVS, ISSN 1213-2705
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0332383