Název: Studium mikrodefektů v Czochralskiho křemíku
Překlad názvu: Study of microdefects in Czochralski silicon
Autoři: Španělová, Klára ; Cába, Vladislav (oponent) ; Másilko, Jiří (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2022
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická
Abstrakt: [cze] [eng]
Bakalářská práce se zabývá studiem mikrodefektů v Czochralskiho křemíku ve spolupráci s firmou onsemi Rožnov pod Radhoštěm. Hlavním cílem je nalezení poznatků o mikrodefektech v Czochralskiho křemíku a jejich vlivu na vlastnosti polovodičových součástek. Experimentální část pojednává o charakterizaci mikrodefektů v ingotech Czochralskiho křemíku dopovaných B, P a Sb a pěstovaných ve společnosti onsemi. Konkrétně je provedeno měření radiálního měrného odporu pomocí čtyřbodové sondy s následným přepočtem na koncentraci dopantu (dle normy ASTM F 723-99). Je provedeno vyhodnocení radiální a axiální distribuce mikrodefektů v ingotech Czochralskiho křemíku pomocí precipitačního testu a OISF testu. V rámci studia mikrodefektů byla také detekována poloha vakantní-intersticiálního rozhraní. The bachelor's thesis deals with the study of microdefects in Czochralski silicon in cooperation with the company onsemi Rožnov pod Radhoštěm. The main objectiv is to find knowledge about microdefects in Czochralski silicon and their influence on the properties of semiconductor components. The experimental part deals with the characterization of microdefects in Czochralski silicon ingots doped by B, P and Sb and grown in the company onsemi. Specifically, the measurement of radial resistivity is performance using a four-point probe with subsequent conversion to dopant concentration (according to ASTM F 723-99). The radial and axial distribution of microdefects in Czochralski silicon ingots is evaluated using the precipitation test and the OISF test. The position of the vacant-interstitial interface was also detected as part of microdefect study.
Klíčová slova: Czochralski metoda; Křemík; mikrodefekty; monokrystal; OISF test; precipitační test; Czochralski method; microdefect; monocrystal; OISF test; precipitation test; Silicon

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/206234

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-503806


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce