Original title:
Naprašování nitridových vrstev pro bioelektronické aplikace pomocí Kaufmanova iontového zdroje
Translated title:
Sputtering of nitride layers using Kaufman ion-beam source for bioelectronics applications
Authors:
Jarušek, Jaromír ; Chmela, Ondřej (referee) ; Gablech, Imrich (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2022
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií Abstract:
[cze][eng]
Tato práce se věnuje nitridovým vrstvám, jejich aplikacím v biomedicíně a depozicí chemickými metodami depozice z plynné fáze a fyzikálními metodami depozici z plynné fáze. Zaměřuje se především na přípravu tenkých vrstev nitridu titanitého reaktivním naprašováním s využitím dvou Kaufmanových zdrojů iontů. Vrstvy byly deponovány na křemíkové wafery a podložní mikroskopická sklíčka. Nadeponované vrstvy nitridu titanitého jsou charakterizovány rentgenovou difrakční analýzou, čtyřbodovou metodou měření vrstvového odporu a měřením křivosti pro zbytkové pnutí.
In this work, nitride layers, their applications in bioelectronics, and methods of chemical vapour deposition and physical vapour deposition are presented. The focus of this work is the preparation of titanium nitride thin films by reactive sputtering using Kaufman ion-beam sources. Thin films were deposited on silicon wafers and microslides. Deposited titanium nitride thin films are characterized by X-ray diffraction, four-point probe sheet resistance measurement and profilometry to determine residual stress.
Keywords:
characterization; Kaufman ion-beam source; optical transmission; reactive sputtering; sheet resistance; thin films; titanium nitride; transparent conductive films; charakterizace; Kaufmanův iontový zdroj; nitrid titanitý; optická transmise; průhledné vodivé vrstvy; reaktivní naprašování; tenké vrstvy; vrstvový odpor
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/205791