Název:
Tenké scintilační vrstvy pro 2D zobrazení
Překlad názvu:
Novel thin scintillation films for 2D imaging screens
Autoři:
Hanuš, Martin ; Kučera, Miroslav (vedoucí práce) ; Mareš, Jiří A. (oponent) Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok:
2009
Jazyk:
cze
Abstrakt: [cze][eng] V této práci jsme se zaměřili na zkoumání vlastností scintilačních vrstev cerem dotovaných granátů (CexLu3-xAl5O12, CexY3-xAl5O12) připravených metodou izotermální kapalné epitaxe. Tento scintilační materiál se vyznačuje rychlou časovou odezvou, vysokou kvantovou účinností a velkou chemickou i mechanickou odolností, jež jej činí ideálním pro zařízení pro 2D zobrazení. Konkrétně jsme měřili absorpci, excitační a emisní spektra, kinetiku luminiscence a strukturní vlastnosti. Cílem bylo porovnat vlastnosti připravených vrstev s vlastnostmi monokrystalů připravených Czochralského metodou. Snahou bylo určení vlivu složení taveniny a technologických parametrů na měřené vlastnosti. Dále pak také stanovení optimálního množství ceru ve vrstvě. Byla použita tavidla PbO - B2O3 a tavidla BaO - BaF2 - B2O3. Tyto umožňují růst granátových vrstev již při teplotách okolo 1000řC. Ve výsledku pak mají vrstvy méně intrinsických defektů krystalové mříže oproti monokrystalu připravenému Czochralského metodou (cca 1900řC). Námi pěstované vrstvy o tloušťce 1 až 30 mm obsahují vyšší koncentraci ceru oproti monokrystalu. Vzhledem k vyššímu obsahu dalších příměsí ve vrstvách pří použití tavidla PbO - B2O3 bylo pěstováno také z tavidla BaO - BaF2 - B2O3, které ve vrstvách nezanechává tolik příměsí.In this work we studied properties of Ce doped garnet scintillator layers (CexLu3-xAl5O12, CexY3-xAl5O12). They were prepared by liquid phase epitaxy. Studied materials show fast response, high quantum efficiency and good chemical and mechanical stability. Thus they are ideal for use in devices for 2D imaging. We measured absorption, excitation and emission spectra and kinetics of luminescence. Aim was to compare properties of grown layers with properties of single crystals grown by Czochralski method. We looked for the impact of melt compounds to measured layer properties. We also tried to determine optimal amount of Ce in layer. We used flux PbO - B2O3 and flux BaO - BaF2 - B2O3. In those fluxes we succeeded to grow garnet layers at temperatures as low as 1000řC. This lead to less intrinsic defects in crystalic lattice of layer in comparison to single crystals grown by Czochralski method (1900řC). Our layers were from 1 to 30 mm thick with higher concentration of Ce than singlecrystal. Due to higher concentration of impurities in layers grown from PbO - B2O3 flux we grown layers from BaO - BaF2 - B2O3 flux too. Flux BaO - BaF2 - B2O3 leaves less impurities in layers.
host ::
