Original title:
Mapování fotoelektrických jevů v semiizolačním CdTe
Translated title:
Mapping of photoelectric effects in semiinsulating CdTe
Authors:
Korcsmáros, Gabriel ; Franc, Jan (advisor) ; Sedláková, Vlasta (referee) Document type: Master’s theses
Year:
2010
Language:
cze Abstract:
[cze][eng] Dôvodom pre aplikáciu CdTe a CdZnTe materiálov pre detekciu Rentgenového žiarenia je fakt, že tieto prvky disponujú s vysokým atómovým číslom a hustotou, to má za dôsledok vysokú kvantovú účinnosť a schopnosť detekcie nízkoenergetických fotónov. Tieto vlastnosti je možné dosiahnuť pri izbovej teplote, preto tento materiál je obzvlášť vhodný pre detektory gamma žiarenia. Pre citlivosť detektoru sú hlavnými požiadavkami nízky temný prúd a vysoká hodnota súčinu pohyblivosti a doby života nosiča prúdu. Požadované vlastnosti sa darí dosahovať len v určitých častiach objemu kryštálu. Hľadanie príčin v zhoršení kvality a v zbere náboja patrí v súčasnej dobe k prioritám výskumu. Nehomogenity sú limitujúcim faktorom pre prípravu veľkoplošných matíc. Diplomová práca bude zameraná na vývoj metodiky mapovania fotovodivosti a smerníc lux-ampérových charakteristík s cieľom analyzovať plošné rozloženie defektov zodpovedných za elektrický odpor a dobu života nosičov. Výskum bude zameraný aj na porovnanie výsledkov z máp fotovodivosti získaných kontaktnou a bezkontaktnou metódou. Využitie fotovodivostnej spektroskopie umožňuje študovať transport náboja v konfiguráci a v podmienkach blízkych reálnej činnosti detektoru a charakterizovať vplyv hlbokých hladín na transport elektrónov a dier.The main advantage of CdTe and CdZnTe materials is the fact that the envolving elements have big atomic numbers and density, this is reflected in a high absortion coeficient. which is a very preferent feature. It enables to detect low energy photons and means high quantum effiency. Mentioned features can be managed at room temperature, therefore these matrials are very perspective for gamma-ray detection. For the detector sensitivity is important to have low dark current, and to have big fold of carrier lifetime and mobility. These properties can be reached in some parts of the materials. Finding the causes of these quality degradation and the signal loss are the main priorities of the exploration. The main problem is the quality of these materials, the inhomogenities are decreasing the detection capability. In this work we will study lux-amper characteristics and analyze photoconductivity maps to better our understanding how inhomogenities influence these parameters. Two main methods will be used, contactless and contact methods with Au applied as contact metal. These maps will be compared. Photoconductivity maps can increase our understanding of charge transport inside the material.
Institution: Charles University Faculties (theses)
(web)
Document availability information: Available in the Charles University Digital Repository. Original record: http://hdl.handle.net/20.500.11956/33342