|
|
Mapování fotoelektrických jevů v semiizolačním CdTe
Korcsmáros, Gabriel ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Sedláková, Vlasta (oponent)
Dôvodom pre aplikáciu CdTe a CdZnTe materiálov pre detekciu Rentgenového žiarenia je fakt, že tieto prvky disponujú s vysokým atómovým číslom a hustotou, to má za dôsledok vysokú kvantovú účinnosť a schopnosť detekcie nízkoenergetických fotónov. Tieto vlastnosti je možné dosiahnuť pri izbovej teplote, preto tento materiál je obzvlášť vhodný pre detektory gamma žiarenia. Pre citlivosť detektoru sú hlavnými požiadavkami nízky temný prúd a vysoká hodnota súčinu pohyblivosti a doby života nosiča prúdu. Požadované vlastnosti sa darí dosahovať len v určitých častiach objemu kryštálu. Hľadanie príčin v zhoršení kvality a v zbere náboja patrí v súčasnej dobe k prioritám výskumu. Nehomogenity sú limitujúcim faktorom pre prípravu veľkoplošných matíc. Diplomová práca bude zameraná na vývoj metodiky mapovania fotovodivosti a smerníc lux-ampérových charakteristík s cieľom analyzovať plošné rozloženie defektov zodpovedných za elektrický odpor a dobu života nosičov. Výskum bude zameraný aj na porovnanie výsledkov z máp fotovodivosti získaných kontaktnou a bezkontaktnou metódou. Využitie fotovodivostnej spektroskopie umožňuje študovať transport náboja v konfiguráci a v podmienkach blízkych reálnej činnosti detektoru a charakterizovať vplyv hlbokých hladín na transport elektrónov a dier.
|
|
|
Properties of point defects in CdTe at temperatures of 300 - 600 K
Korcsmáros, Gabriel ; Moravec, Pavel (vedoucí práce) ; Šikula, Josef (oponent) ; Toušková, Jana (oponent)
Tepelná stabilita krystalů p-CdTe byla studována pomocí měření vodivosti a Hallova jevu při pokojové teplotě a při mírně zvýšených teplotách. Bylo pozorováno, že tepelné změny často implikují anomální chování hustoty děr charakterizované reverzibilním poklesem nebo zvýšením při zahřívání nebo chlazení. Tato anomálie byla vysvětlena přenosem rychle se difundujících donorů mezi Te inkluze a objemem vzorku. Pomocí sekundární iontové hmotnostní spektroskopie (SIMS) sodík a draslík byly stanoveny jako nejpravděpodobnější difúzní prvky. K ověření tohoto chování byly vzorky zpracovány také v nasyceném roztoku NaCl v různých časových intervalech, aby se prozkoumal vliv oxidové vrstvy a sodíku na povrch vzorku. Pro stanovení struktury povrchu byl vzorek charakterizován elipsometricky, rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS), SIMS a fotoluminiscenci. Velmi nízký difúzní koeficient Na byl vysvětlen zachycením Na v podmřížce Cd.
|
|
|
Properties of point defects in CdTe at temperatures of 300 - 600 K
Korcsmáros, Gabriel ; Moravec, Pavel (vedoucí práce) ; Šikula, Josef (oponent) ; Toušková, Jana (oponent)
Tepelná stabilita krystalů p-CdTe byla studována pomocí měření vodivosti a Hallova jevu při pokojové teplotě a při mírně zvýšených teplotách. Bylo pozorováno, že tepelné změny často implikují anomální chování hustoty děr charakterizované reverzibilním poklesem nebo zvýšením při zahřívání nebo chlazení. Tato anomálie byla vysvětlena přenosem rychle se difundujících donorů mezi Te inkluze a objemem vzorku. Pomocí sekundární iontové hmotnostní spektroskopie (SIMS) sodík a draslík byly stanoveny jako nejpravděpodobnější difúzní prvky. K ověření tohoto chování byly vzorky zpracovány také v nasyceném roztoku NaCl v různých časových intervalech, aby se prozkoumal vliv oxidové vrstvy a sodíku na povrch vzorku. Pro stanovení struktury povrchu byl vzorek charakterizován elipsometricky, rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS), SIMS a fotoluminiscenci. Velmi nízký difúzní koeficient Na byl vysvětlen zachycením Na v podmřížce Cd.
|
|
|
Mapování fotoelektrických jevů v semiizolačním CdTe
Korcsmáros, Gabriel ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Sedláková, Vlasta (oponent)
Dôvodom pre aplikáciu CdTe a CdZnTe materiálov pre detekciu Rentgenového žiarenia je fakt, že tieto prvky disponujú s vysokým atómovým číslom a hustotou, to má za dôsledok vysokú kvantovú účinnosť a schopnosť detekcie nízkoenergetických fotónov. Tieto vlastnosti je možné dosiahnuť pri izbovej teplote, preto tento materiál je obzvlášť vhodný pre detektory gamma žiarenia. Pre citlivosť detektoru sú hlavnými požiadavkami nízky temný prúd a vysoká hodnota súčinu pohyblivosti a doby života nosiča prúdu. Požadované vlastnosti sa darí dosahovať len v určitých častiach objemu kryštálu. Hľadanie príčin v zhoršení kvality a v zbere náboja patrí v súčasnej dobe k prioritám výskumu. Nehomogenity sú limitujúcim faktorom pre prípravu veľkoplošných matíc. Diplomová práca bude zameraná na vývoj metodiky mapovania fotovodivosti a smerníc lux-ampérových charakteristík s cieľom analyzovať plošné rozloženie defektov zodpovedných za elektrický odpor a dobu života nosičov. Výskum bude zameraný aj na porovnanie výsledkov z máp fotovodivosti získaných kontaktnou a bezkontaktnou metódou. Využitie fotovodivostnej spektroskopie umožňuje študovať transport náboja v konfiguráci a v podmienkach blízkych reálnej činnosti detektoru a charakterizovať vplyv hlbokých hladín na transport elektrónov a dier.
|
|
| |
host ::
RSS.