Název: Difúze přirozených defektů a příměsí v CdTe/CdZnTe
Překlad názvu: Diffusion of native defects and impurities in CdTe/CdZnTe
Autoři: Šedivý, Lukáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Šíma, Vladimír (oponent)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2012
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Název práce: Difúze přirozených defektů a příměsí v CdTe/CdZnTe. Autor: Lukáš Šedivý e-mail autora: luky.sedivy@seznam.cz Katedra (ústav): Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí bakalářské práce: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc. e-mail vedoucího: belas@karlov.mff.cuni.cz V předložené práci byl studován vliv defektní struktury na elektrické a detekční vlastnosti materiálu CdTe. Byla snaha kompenzovat vliv strukturních defektů v mate- riálu žíháním v Cd a Te parách při zachování dobrých parametrů pro detekci rentge- nového a γ záření. Materiál byl charakterizován pomocí měrného elektrického odporu, koncentrace a pohyblivosti nosičů. Též byly pomocí infračerveného mikroskopu studo- vány telurové a kadmiové inkluze v materiálu. Byly také zkoumány statické i dynamické vlastnosti defektní struktury ve vysokých teplotách a definovaných tlacích Cd. Experimentálně byly stanoveny hodnoty chemic- kých difúzních koeficientů popisujících dynamické vlastnosti těchto defektů. Klíčová slova: monokrystal CdTe, strukturní defekty v polovodičích, žíhání v parách kadmia a teluru, chemický difúzní koeficient, detektory γ−záření. 1 Title: Diffusion of native defects and impurities in CdTe/CdZnTe. Author: Lukáš Šedivý Author's e-mail address: luky.sedivy@seznam.cz Department: Institute of Physics of Charles University Supervisor: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc. Supervisor's e-mail address: belas@karlov.mff.cuni.cz Abstract: In this thesis, the influence of structural defects on the electrical and de- tection characteristics of CdTe material was investigated. The performed research fo- cused on the reduction of structural defects in the material by annealing in Cd or Te vapor, while preserving acceptable features for X-ray and γ-ray detection. The mate- rial was characterized by measurement of the electrical resistivity and concentration and mobility of free carriers. Tellurium and cadmium inclusions were studied using infrared microscope. The static and dynamic properties of defect structures at high temperatures and de- fined Cd pressures was investigated, as well, and chemical diffusion coeficients describing the dynamic properties of these defects were experimentally determined. Keywords: monocrystal CdTe, structural defects in semiconductors, annealing in Cd or Te, chemical diffusion coefficient, γ-ray detectors. 1
Klíčová slova: chemický difúzní koeficient; detektory gama-záření; Monokrystal CdTe; strukturní defekty v polovodičích; žíhání v parách kadmia a teluru; annealing in Cd or Te; chemical diffusion coefficient; gamma-ray detectors; Monocrystal CdTe; structural defects in semiconductors

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/40834

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-472000


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce