Název: Intrinsic And Extrinsic Parameters Of Galium - Nitride Transistors
Autoři: Herceg, Erik
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: This article deals with the extrinsic and intrinsic parameters of the Galium-Nitride RF transistor. These parameters are essential in any design of large-signal analysis of RF amplifiers. Package parasitics are the biggest problem of integrated circuits (ICs), especially at high frequencies. Each IC package gives unwanted parasitics to the primary function of the IC. The analysis of these package parasitics can be performed by the transistor manufacturer, which provides a non-linear model of the transistor, where parasitics elements are separated from the transistor. With these separated package parasitics, the highest efficiency, power output, and accurate harmonic termination can be achieved. The main purpose of this article is to describe these problems.
Klíčová slova: Extrinsic; GaN Transistor; Intrinsic; Load-Pull; Radio-Frequency; Source-Pull; Transistor Parasitics; Waveforms
Zdrojový dokument: Proceedings I of the 26st Conference STUDENT EEICT 2020: General papers, ISBN 978-80-214-5867-3

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/200586

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-447638


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference