Název: Present State Of GaN Technology In Power Electronics
Autoři: Šír, Michal
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: This paper presents a general overview of nowadays Gallium Nitride power transistor technology and shows the existing components with their limits from different manufacturers currently available on the market. Introduction to GaN depletion mode, enhancement mode and cascode transistor structure with their function explanation is included.
Klíčová slova: cascode; depletion mode; enhancement mode; GaN
Zdrojový dokument: Proceedings of the 23st Conference STUDENT EEICT 2017, ISBN 978-80-214-5496-5

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/187166

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-414826


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference