Název: Dark J–V Characteristics Model Of Chalcopyrite-Based Solar Cells
Autoři: Škvarenina, L’ubomír
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: An equivalent circuit model of the current parasitic pathways is proposed to describe a behaviour of dark current density–voltage characteristics of chalcopyrite-based solar cells in order to understand a shunting behaviour between the ZnO:Al/i-ZnO/CdS/Cu(In;Ga)Se2/MoSe2/Mo/Ti/TiN layers. The model fitting with a parameter extraction is evaluated for the sample before and after an appearance of a permanent breakdown to prove an accurate response of the proposed model to an ohmic and non-ohmic component shift.
Klíčová slova: CIGS; dark J–V characteristics; equivalent electrical model; heterojunction; parameters extraction; parasitic current pathways; solar cell; thin-film
Zdrojový dokument: Proceedings of the 24th Conference STUDENT EEICT 2018, ISBN 978-80-214-5614-3

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/138290

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-393476


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
 Záznam vytvořen dne 2019-03-14, naposledy upraven 2021-08-22.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet