Název: Obtaining Thin Films Of Aln By Atomic Layer Deposition Using Nh3 Or N2h4 As Precursors
Autoři: Dallaev, Rashid
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: In this work we used atomic layer deposition (ALD) method to obtain thin films of AlN using tris(diethylamido)aluminum (III) (TDEAA) with hydrazine (N2H4) or ammonia (NH3) as precursors. Elemental analysis of the film deposited by ALD TDEAA /N2H4 at 200 °C showed the presence of carbon impurities ~ 1.4 at%, oxygen ~ 3.2 at.% and hydrogen 22.6 at.%. The atomic concentration ratio of N/Al was ~ 1.3. The residual impurities content with N2H4 was lower than with NH3. In general, it has been confirmed that hydrazine has a more preferable surface thermochemistry than ammonia.
Klíčová slova: aluminum nitride; ammonia; atomic layer deposition; hydrazine; semiconucting materials; thin films fabrication; tris(diethylamido)aluminum.; wide band-gap
Zdrojový dokument: Proceedings of the 24th Conference STUDENT EEICT 2018, ISBN 978-80-214-5614-3

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/138285

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-393471


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference