Název: Charakterizace dielektrických vrstev na křemíkové desce
Překlad názvu: Characterisation of dielectric films on a silicon wafer
Autoři: Fillner, Patrik ; Boušek, Jaroslav (oponent) ; Hubálek, Jaromír (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2018
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Táto bakalárska práca sa zaoberá tenkými oxidovými dielektrickými vrstvami na kremíkovom substráte. Podrobnejšie skúma ich charakterizáciu a jednotlivé hodnoty parametrov vzoriek. Uplatnenie je možné nájsť v použití týchto vrstiev pri výrobe kondenzátorov na kremíkových čipoch. Vzorky pozostávajú z planárnych oxidových vrstiev o hrúbke v rozmedzí desiatok nanometrov na jednotlivých kremíkových substrátoch s naparenými, alebo naprášenými elektródami. This bachelor thesis focuses on thin oxide based dielectric layers on silicon wafer. Main effort is for characterization of properties of samples. This technology can be used for manufacturing capacitors on silicon chips. Samples are based on planar oxide layers made with thin film technology on single silicon wafers coated with electrodes deposited by evaporation or by sputtering.
Klíčová slova: dielektrická konštanta; dielektrické vlastnosti; kondenzátor; nanoštruktúra; oxidová vrstva; tenká vrstva; capacitor; dielectric constant; dielectric properties; nanostructure; oxide film; thin film technology

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/81749

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-377851


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce