Original title: Imaging of Dopants in Semiconductors with the Secondary Electrons in a Low Energy SEM
Translated title: Zobrazení dopantu v polovodiči s pomocí sekundárních elektronů v LESEM
Authors: Mika, Filip ; Frank, Luděk
Document type: Papers
Conference/Event: Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /10./, Skalský dvůr (CZ), 2006-05-22 / 2006-05-26
Year: 2006
Language: eng
Abstract: [eng] [cze]
One of the crucial parameters in characterization of semiconductor devices is the dopant distribution profile. Details in both lateral and in-depth distributions of dopants fall at least in the same order of magnitude. Consequently, the device characterization becomes a non-trivial task. Two-dimensional dopant profiling in this study was made in the cathode lens equipped low energy scanning electron microscope. Jedním z klíčových parametrů, které charakterizují polovodičovou součástku je profil dopantu. Dopování do hloubky je díky rozměrům detailů na čipu shodné s dopováním do stran. Z toho následně vyplývají i potíže při charakterizaci součástky. 2D profil dopantu byl zkoumán na mikroskopu vybaveném katodovou čočkou.
Keywords: dopant distribution profile; low energy scanning electron microscope
Project no.: CEZ:AV0Z20650511 (CEP)
Host item entry: Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation, ISBN 80-239-6285-X

Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0139513

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-36247


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Scientific Instruments
Conference materials > Papers