Original title: The High-Pass Energy Filtered PEEM Imaging of Dopants in Silicon
Translated title: Studium vlastností dopovaného křemíku pomocí fotoemisní elektronové mikroskopie s využitím energiového filtru
Authors: Hovorka, Miloš ; Frank, Luděk ; Valdaitsev, D. ; Nepijko, S. ; Elmers, H. ; Schönhense, G.
Document type: Papers
Conference/Event: Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /10./, Skalský dvůr (CZ), 2006-05-22 / 2006-05-26
Year: 2006
Language: eng
Abstract: [eng] [cze]
4) PEEM equipped with high-pass energy filter as a surface sensitive tool was used for characterization of electron-optical contrast between differently doped areas in silicon. The native-oxide covered samples of both p- and n-type with dopant concentrations of 1015 to 1019 cm-3 were observed. In full photoemission the contrast disappears when decreasing the dopant concentration, while in filtered images the inverted contrast is preserved for all dopant concentrations. The photothreshold difference between p- and n-type (indicated by the shift of the energy spectra) increases up to 0.2 eV at the highest concentrations. Fotoemisní elektronový mikroskop vybavený filtrem typu horní propusti představuje povrchově citlivý nástroj, který posloužil ke studiu elektronově optického kontrastu mezi různě dopovanými oblastmi v křemíku. Vzorky byly pokryty nativním oxidem, jednalo se o p-typ a n-typ s koncentrací dopantů od 1015 to 1019 cm-3. Z naměřených dat vyplývá, že v nefiltrované fotoemisi kontrast postupně vymizí s klesající koncentrací dopantů, avšak ve filtrované fotoemisi dochází k inverzi kontrastu, který zůstává zachován i pro nejnižší koncentraci dopantů. Rozdíl v prahu fotoemise mezi p- a n-typem udává posun mezi příslušnými energiovými spektry a dosahuje hodnoty až 0.2 eV pro nejvyšší koncetraci dopantů.
Keywords: contrast; photoemission; silicon
Project no.: CEZ:AV0Z20650511 (CEP), GA202/04/0281 (CEP)
Funding provider: GA ČR
Host item entry: Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation, ISBN 80-239-6285-X

Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0139508

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-36242


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Scientific Instruments
Conference materials > Papers