Original title:
The Dopant Contrast – A Challenge to Electron Microscopy
Translated title:
Kontrast dopantu – otázka pro elektronovou mikroskopii
Authors:
Frank, Luděk Document type: Papers Conference/Event: Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation /10./, Skalský dvůr (CZ), 2006-05-22 / 2006-05-26
Year:
2006
Language:
eng Abstract:
[eng][cze] Results obtained when imaging doped areas in silicon by means of various electron microscopical methods are reviewed. These include secondary electron imaging in the conventional SEM and SEM equipped with the cathode lens, imaging with very slow backscattered electrons by means of the cathode lens, and imaging in a photoelectron emission microscope. It is suggested that important role in the contrast formation plays local differences in the absorption of excited hot electrons on their trajectories toward surface.Je podán přehled výsledků získaných při zobrazování dopovaných oblastí v křemíku pomocí různých elektronově mikroskopických metod. Pojednáno je o zobrazování sekundárními elektrony v konvenčním rastrovacím elektronovém mikroskopu a v tomtéž mikroskopu vybaveném katodovou čočkou, zobrazování pomocí velmi pomalých zpětně odražených elektronů za pomoci katodové čočky, a zobrazování ve fotoelektronovém emisním mikroskopu. Naznačena je důležitá úloha místních rozdílů v intenzitě absorpce excitovaných horkých elektronů podél jejich trajektorie směrem k povrchu v mechanismu vzniku obrazového kontrastu.
Keywords:
cathode lens mode; dopant contrast; PEEM; SEM Project no.: CEZ:AV0Z20650511 (CEP), GA202/04/0281 (CEP) Funding provider: GA ČR Host item entry: Proceedings of the 10th International Seminar on Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation, ISBN 80-239-6285-X
Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR
(web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences. Original record: http://hdl.handle.net/11104/0139506