Název: Laserová spektroskopie polovodičových kvantových bodů
Překlad názvu: Laser spectroscopy of semiconductor quantum dots
Autoři: Pokorný, Martin
Typ dokumentu: Rigorózní práce
Rok: 2014
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Práce je zaměřena na zkoumání fotoluminiscenčních vlastností InAs kvantových bodů na GaAs substrátu překrytých GaAs1-xSbx krycí vrstvou připravených Stranski-Krastanowovou metodou. Měřili jsme doby doznívání luminiscence dvou vzorků s různou koncentrací Sb v této vrstvě. Zkoumali jsme vliv teploty, intenzity a vlnové délky excitačního pulzu na intenzitu a dobu doznívání luminiscence. Porovnali jsme vlastnosti vzorku po excitaci 760 nm pulzem a 850 nm - v prvním případě byla energie excitačních fotonů větší, než šířka zakázaného pásu substrátu; při větší excitační vlnové délce jsme excitovali pouze kvantové tečky a smáčecí vrstvu. Z těchto vlastností dále odvozujeme rekombinační a relaxační procesy v InAs kvantových tečkách a transport nosičů náboje ze substrátu i smáčecí vrstvy do nich. Součástí práce bylo seznámení se s metodami měření ultrarychlé fotoluminiscence a sestavení experimentálního uspořádání. This work is focused on examining photoluminescent properties of InAs quantum dots (QDs) on GaAs substrate covered by GaAs1-xSbx strain reducing capping layer (SRL) prepared by Stranski-Krastanow method. We measured luminescence decay time of two samples with different concentration of Sb in this layer. We investigated the influence of temperature, intensity and wavelength of the excitation pulse on the luminescent decay time. We also compared the properties of the samples after excitation by 760 nm pulse and 850 nm pulse - the former one is energetically above the substrate band gap; in the second case we excited only the QDs and the wetting layer (WL). We consequently derived recombination and relaxation processes occurring inside InAs QDs and also the transport of charge carriers from the substrate and the WL into QDs. One part of this diploma thesis was to learn about the methods of measuring ultrafast photoluminescence and build the experimental set-up.
Klíčová slova: kvantové body; luminiscence; upkonverze; luminescence; quantum dots; upconversion

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/67425

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-336559


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Rigorózní práce