Název: Difúzní rozptyl rentgenového záření na GaN epitaxních vrstvách
Překlad názvu: Diffuse x-ray scattering from GaN epitaxial layers
Autoři: Barchuk, Mykhailo ; Holý, Václav (vedoucí práce) ; Caha, Ondřej (oponent) ; Pietsch, Ulrich (oponent)
Typ dokumentu: Disertační práce
Rok: 2012
Jazyk: eng
Abstrakt: [eng] [cze]

Klíčová slova: difrakce rtg záření; Gallium Nitrid (GaN); Monte Carlo simulace; threading dislokace; vrstevné chyby; Gallium Nitride; Monte Carlo simulation; stacking faults; threading dislocations; x-ray diffraction

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/57327

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-326594


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Disertační práce
 Záznam vytvořen dne 2017-06-19, naposledy upraven 2022-03-04.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet