Název: Investigation of X- and y-ray detectors based on GaAs and InP with electrodes grown by MOCVD
Autoři: Dubecký, F. ; Darmo, J. ; Zat'ko, B. ; Krempaský, M. ; Hasenöhrl, S. ; Procházková, Olga ; Bešše, I. ; Sekáčková, M. ; Boháček, Pavel ; Pelfer, P.G. ; Nečas, V.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: EW MOVPE /8./, Prague (CZ), 1999-06-08 / 1999-06-11
Rok: 1999
Jazyk: eng
Klíčová slova: rare earth compounds; semiconductor materials; semiconductor technology
Číslo projektu: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), GA102/99/0341 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: EW MOVPE VIII. Proceedings of the 8th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0113671

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32398


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference