Original title: Observation of Multilayer Semiconductor Structures in the Scanning Electron Microscope
Translated title: Pozorování vícevrstvých polovodičových struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu
Authors: Wandrol, Petr ; Matějková, Jiřina ; Autrata, Rudolf
Document type: Papers
Conference/Event: Electronic Devices and Systems EDS'05, Brno (CZ), 2005-09-15 / 2005-09-16
Year: 2005
Language: eng
Abstract: [eng] [cze]
This work deals with problems related to the observation of semiconductor specimens in the scanning electron microscope. It was found that the best method for the localization of defects in the semiconductor structure cross sections is the imaging of their material contrast by the scintillation detector of backscattered electrons. This detector also can effectively suppress the influence of specimen charging on the image. Práce se zabývá problémy vznikajícími při pozorování polovodičových vzorků v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Zvláštní pozornost je věnována scintilačnímu detektoru zpětně odražených elektronů, který je pro tento účel velmi vhodný. Jednak díky možnosti pozorovat materiálový kontrast vzorku a tím přesně rozlišit jednotlivé vrstvy vzorku. A také protože se při snímání obrazu tímto detektorem neprojevuje tolik nabíjení méně vodivých vrstev vzorku, jako u detektorů sekundárních elektronů.
Keywords: detection; multilayer semiconductor structures; scanning electron microscope
Project no.: KJB200650501 (CEP)
Funding provider: GA AV ČR
Host item entry: Proceedings EDS'05 - Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2005, ISBN 80-214-2990-9

Institution: Institute of Scientific Instruments AS ČR (web)
Document availability information: Fulltext is available at the institute of the Academy of Sciences.
Original record: http://hdl.handle.net/11104/0111544

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-31976


The record appears in these collections:
Research > Institutes ASCR > Institute of Scientific Instruments
Conference materials > Papers