Název: Zobrazení lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů
Překlad názvu: Local density of states mapping using the reflection of very slow electrons
Autoři: Pokorná, Zuzana
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: PDS 2004, Brno (CZ), 2005-03-15
Rok: 2005
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Cílem práce je provedení série experimentů v ultravysokovakuovém elektronovém mikroskopu, demonstrujících nepřímou úměrnost mezi odrazivostí velmi pomalých elektronů a lokální hustotou elektronových stavů navázaných na dopadající vlnu, a kvantitativní popis zobrazení dopované oblasti povrchové vrstvy polovodiče. The aim of the work is performing a series of experiments in an ultra high vacuum electron microscope, demonstrating the inverse proportionality between the reflectance of very slow electrons and the local density of electron states bound to the incident wave. The work also aims to describe quantitatively the imaging of a doped region in the semiconductor surface layer.
Klíčová slova: dopant distribution; local density of states; very slow electrons
Číslo projektu: GA202/04/0281 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR
Zdrojový dokument: PDS 2004 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronové optiky, ISBN 80-239-4561-0

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0111296

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-31956


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference