Název: On the imaging of semiconductor doping using low energy electron microscopy
Autoři: El Gomati, M. M. ; Wells, T. C. R. ; Frank, Luděk ; Müllerová, Ilona
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: EUREM /12./ - European Congress on Electron Microscopy, Brno (CZ), 2000-07-09 / 2000-07-14
Rok: 2000
Jazyk: eng
Abstrakt: Regions of n + and p + semiconductors doped to 2.5x10 20 and 80x10 19 cm -3 respectively on n-type silicon substrate have been imaged in a scanning electron microscope modified for use into a cathode lens mode operating in the region of 1-10000 eV. The highest contrast with respect to that of the n-type silicon has been obtained from the n + region followed by the p + . Further, the n+ shows a maximum contrast at about 5-20 eV, while the contrast from the p+ area shows a maximum at about 300 eV.
Číslo projektu: CEZ:AV0Z2065902 (CEP)
Zdrojový dokument: Proceedings of the 12th European Congress on Electron Microscopy, ISBN 80-238-5503-4
Poznámka: Související webová stránka: mailto:ludek@isibrno.cz

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0100856

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-29458


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference