Název:
Epitaxial rectrystalization of the Ni/MgO(001)interface
Autoři:
Vacík, Jiří ; Naramoto, H. ; Yamamoto, S. ; Narumi, K. ; Havránek, Vladimír Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Konference českých a slovenských fyziků /14./, Plzeň (CZ), 2002-09-09 / 2002-09-12
Rok:
2002
Jazyk:
eng
Abstrakt: Process of recrystallization of the epitaxially grown Ni layer deposited on the MgO(001) single crystal is studied. Thin Ni layer prepared by the vapor deposition of Ni on the MgO substrate kept were annealed between 500 and 1000 0C and systematically analyzed by Rutherford backscattering, X-ray diffraction and atomic force microscopy. Dramatic change in evolution of the crystalline quality was observed during the thermal treatment. The strain and defect density gradually decreased and at the temperature 1000 0C the strain-free Ni/MgO(001) interface was obtained.
Klíčová slova:
epitaxy; MgO; Ni Číslo projektu: CEZ:AV0Z1048901 (CEP) Zdrojový dokument: Epitaxial rectrystalization of the Ni/MgO(001)interface
Instituce: Ústav jaderné fyziky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0082179